二元微带阵列的求助
1：当单贴片时，用HFSS做仿真后，不管是S参数，阻抗匹配还是增益都很好，可是我用两个贴片时（相距约为波长的一半），而且是单独馈电（底馈，因为我还不会用功分器设计，想这样设计试试）结果效果很差，增益仅有4，是S11=-6dB,另外还有S22，S12，S21，这四个参数怎么分析呢?
2：二元微带贴片天线的两个贴片如何放置好呢?是沿着E面放呢 还是H面放好呢?我看到论文有的说沿着E面，这样可以是E面方向图压缩，对增益好，是这样吗? 是不是要将两个贴片放在一起，贴片单元的大小，介质厚度，馈电位置等都要发生改变呢?有做过二元微带阵的前辈们吗?给点建议谢谢
没有人能给讲解一下吗?要沉了啊
最好贴出模型，两个单元之间存在互耦影响
您看看 我想简单得把两个底馈的贴片放在一起，看看效果怎么样，可是很差。还有就是您说的耦合这方面，其实我做二单元的目的就是为了想知道如何才能设计减少他们之间的耦合。
不懂，帮顶，期待大侠的出现
垂直面排阵，互耦影响较小
你的增益这么低和设置有关系，应该是有一个端口没有激励吧
我两个都加了激励啊 ！您说的是不是在HFSS---Fields---Edit sources 这里边设置呢?您看看是这个嘛
忒牛了我改了那个地方 增益到了十几，大大提高了 谢了 大师啊
caifushibao 是泉州的?
不是的啊！我是山东的啊 ！
顺便一下哈，看看下边那个仿真图，注意我让两个馈电关于Y轴对称了，当没有按您说的那样修改源时，增益也就是7吧 可是我修改源后，您看看这个增益图
我是这么认为的，您看看对不对，因为馈电对称分布，所以在Z轴方向两辐射抵消一部分，是本来的最大辐射方向边弱了。还有就是 也是阵源沿着E面排列，可是馈电不是对称分布，就是我第一张图那样，当修改源后增益确实大了不少，可是我发现出现了旁瓣，这就是耦合引起的吧，要想除去这旁瓣只有增大阵源间距这一个方法吗?此时的间距为0.54波长。
我也觉得是互耦 毕竟还是一样的天线
请教下垂直面是指e面吧，帖子里作者的天线就是e面的吧?
你的2端口没给激励吧。
觉得你应该查查阵列天线合成方向图的相关资料，阵列天线的总方向图与各阵元的幅度相位相关的，你试下改变你的二元阵激励的相位，改为0和180度，看看方向图变化吧
对这个问题我很奇怪 哈 因为在创建的时候我明明是设置端口的时候加激励了啊 ，两个端口都是一样的 为什么 在仿真的时候会有一个端口没有激励呢?》我修改后 增益明显大了 您知道怎么回事吗?
仿真端口1时，端口2要关闭，仿真端口2时，端口1要关闭。
那是不是需要自己设置将两个端口都打开呢?我上边那个设置是不是就是将两个端口都打开呢?增益确实大了
小编，您好，我是初学者，根据教材上要求进行单贴片设计时，用HFSS做仿真后，S参数为直线，请问您的参数计算式依据哪些公式，可否分享一下。