请问波导裂缝行波阵是否很难做到低副瓣(如-30dB以下)
时间:10-02
整理:3721RD
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rt
就目前的可见文献好像没有涉及行波阵可以做到低副瓣的
想请教高手或是有经验的兄台是否是这样的情况 原因如何
是否因为教科书上求电导分布的公式不够精确
就目前的可见文献好像没有涉及行波阵可以做到低副瓣的
想请教高手或是有经验的兄台是否是这样的情况 原因如何
是否因为教科书上求电导分布的公式不够精确
我没做过
但我认为问题不大
波导缝隙阵的一个很大优点就是设计低副瓣阵列
做波导窄边倾斜缝隙行波阵,不能仅仅依靠书上公式
这是因为,每个缝隙的电导随着互耦等因素,都是倾角以及谐振长度的函数
要设计低副瓣阵列,当然我认为30dB不算太难,必须仔细计算每个缝隙的电导
可行的办法是,现依照公式按功率分布计算出每个缝隙的倾角,再认真调节每个缝的长度,微调倾角
应该能做到低副瓣
谢谢楼上的回答!
这也是目前遇到的问题 驻波阵是很好实现低副瓣 且理论综合与仿真往往只差2、3dB
但行波阵差的比较大 而且要用宽边缝隙实现 三个方程实现还有一定困难啊 正在进一步尝试
用宽边做啊,那应该比窄边容易一些
我认为,行波阵作低副瓣难度大的原因在于
各单元缝隙不是同相激励,你可以试着把波束斜视角选小一点
即单元更接近1/2波导波长一些,虽然这样可能会产生较大的驻波,但副瓣肯定能做下来
折中考虑
呵呵 所言甚是 已做过一些类似尝试
目前就是用宽边纵缝实现的行波阵 还好副瓣做下来了 证明理论曲线还是很可信的
无意中又遇到一个问题 即空气框(辐射边界)的大小居然对副瓣有较大影响 之前
试过1/3,1/4个波长时效果比较好了可是加大到1/2波长时副瓣整体上升有3,4个dB
想问这种情况正常么 这样拿去加工就没底了啊
大于1/4波长应该就可信了
看来二位是高手!