天线的输入电抗和近区场储能有何关系

我先是看到在“弱问天线辐射机理”一帖中看到lui1978的观点，观点如下
引用第16楼lui1978于2008-05-14 14:48发表的  :
还是从天线的阻抗入手解决问题吧。
阻抗包括辐射电阻Rr、损耗电阻Rloss和辐射电抗X三部分，分别表征远区场、欧姆损耗和近区场三者的效应。
远区的电、磁场分量同相，因此相除就是实数、表征辐射，即辐射电阻；
近区的电、磁场分量正交，因此相除就是虚数、表征储能，即辐射电抗，符号为正，则为感性储能，反之是容性储能；
开始想觉得很有道理，可想久了就晕了。如果天线设计的刚好是一个输入阻抗为纯电阻时，岂不是说近区场没有储能，没有往复振荡的能流了，真实情况是否可以是这样?
反过来，天线的近区场往复振荡的能流，如同谐振腔中的无功功率，感觉确实又可以由一个电抗值来表示，这个电抗值是天线的输入电抗吗?
还有就是天线输入电抗值过高这有什么物理意义?是否意味着天线的近区场储能会更多，造成该辐射的能量辐射不出去，能量停留在天线周围不断转换，以致天线辐射效率降低?通过匹配是否可以达到消除电抗的目的，减少天线近区场的储能让它们辐射出去?
哎，我现在已经完全昏了，明天还要考试，望各位大侠高手们能帮助小弟解决这些困惑，感激不尽！

    我突然又觉悟了，lui1978的关于电抗的理解我觉得是有道理的，但不完全对，输入电抗只贡献储能的一部分，还有其他因素影响储能。
    考虑一个稍短的半波长偶极子它是纯电阻的输入阻抗，这就是说此天线乃自谐振的，其输入电抗X为0，如果按照天线输入电抗是贡献储能全部的话，那么天线周围应该没有无功储能，根据Q值定义，Q=单位时间储能/单位时间耗能=X/(Rr+RL)=中心频率/频带宽度，这样Q值不久为0了?然而显然我们都知道半波振子属于谐振天线有较高的Q值，那不是自相矛盾吗?所以我认为天线的输入电抗只贡献储能的一部分，本身天线自己怎样都会有储能的，因为现实中不可能又无限频带宽度的天线。即有一种可能：总储能=天线结构的储能（输入电抗）+天线近区场的储能。
    我们可以进一步的说明这个问题，当我们把天线做小时，不可避免的会使输入电抗增加，这就导致天线结构的储能增多，从而造成Q值变高，频带宽度减小。这些推论和实际情况吻合，说明天线的输入电抗确实会对天线的储能作出贡献，有着一定的联系。同时我们可以分析一下小天线为何效率会变低，由于天线做小后在提高输入电抗的同时会降低辐射电阻，而实际的天线都会有损耗RL，效率e=Rr/(Rr+RL)，在Rr变小后，稍有损耗RL都会对效率有较大的影响。
    有一个新的问题，那到底是什么因素影响着天线近区场的储能，一个半波振子和弯曲双锥V形天线，两个同样输入电抗都可以为零，为什么V形天线具有低Q值，近区场只有小部分能量储存，而半波振子则相反?是什么因素影响着近区场的能量储存，是天线的结构吗?我觉得回答好这些问题会对设计小天线会有帮助的。
    各位大虾高手们来看看小弟的问题吧，自问自答可没意思啊，都是些粗浅见解欢迎拍砖啊