求助！ 上电后SRAM只第一次写有效？！

最近在做SRAM方面的测试，本想fpga采集数据通过接口传给单片机进行处理，可是现在fpga控制SRAM读写好像出了些问题。每次fpga刚上电时，先写再读，显示的数是正确的。可是，我把输入的数据调了，换了个数，再写SRAM，读出的数据就不正确了，还是第一次写的数。查了些资料，没有说SRAM写过后还要擦除的，所以可能还是我控制的方法有问题。我用的SRAM 是IS61LV2568，以下是我的程序，主要是参考了DE2开发板的程序，然后修改了一下。希望各位能帮我看看，到底程序有没有问题，问题在哪?如能回复，十分感谢！
module simple_exram(
     input clk,
     input wr,
     input rd,
     input[7:0] adc_data_in,
     input[17:0]wr_end_addr,
     
     
     output MEM_WE_N,
     output reg MEM_OE_N,
     output[17:0] MEM_A,
     inout[7:0] MEM_DATA,
     
     input[17:0] addr_to_read,
     output reg[7:0] data_read
     );
      
      
      /*************** extern_ram *****************/

     reg[17:0] wr_addr18 = 18'd0;
     reg[17:0] rd_addr18 = 18'd0;
//读数据
     reg[7:0] Data_out_r = 8'h00;
      always @(posedge clk)
      begin
         if(rd==1'b1)
             begin
                 MEM_OE_N <= 1'b0;
                 rd_addr18 <= addr_to_read;
                 Data_out_r <= MEM_DATA;
                 data_read <= Data_out_r;
             end
         else
             begin
                 MEM_OE_N <= 1'b1;
                 rd_addr18 <= 18'd0;
                 Data_out_r <= 8'h00;
             end
      end

         //写数据   
     reg flag = 1'b0;
     reg we_r = 1'b0;
     reg[7:0] bufdata = 8'd0;
     reg[17:0] wr_addr18_reg = 18'd0;

     
      always @(posedge clk)
      begin
        if(wr == 1'b1)
             begin
                 if(wr_addr18 <= wr_end_addr)
                     begin
                         if(！flag)
                             begin
                                 we_r <= 1'b1;
                                 wr_addr18 <= wr_addr18_reg;
                                 wr_addr18_reg <= wr_addr18_reg + 18'd1;
                                 bufdata <= adc_data_in;
                                 flag <= 1'b1;
                             end
                         else
                             begin
                                 we_r <= 1'b0;
                                 wr_addr18 <= wr_addr18;
                                 bufdata <= bufdata;
                                 flag <= 1'b0;
                             end
                     end
                 else
                     begin
                         we_r <= 1'b0;
                         flag <= 1'b0;
                         wr_addr18 <= wr_addr18;
                         bufdata <= bufdata;
                     end
             end
         else
             begin
                 we_r <= 1'b0;
                 wr_addr18_reg <=18'd0;
                 wr_addr18 <= 18'd0;
                 bufdata <= 8'd0;
                 flag <= 1'b0;
             end
      end
     

      assign MEM_A = wr?wr_addr18:rd_addr18;
      assign MEM_WE_N = (~we_r)?1'b1:1'b0;
      assign MEM_DATA = we_r? bufdata:8'hzz;

endmodule

手册上的读写信号都是低电平有效地，你在其他位置有反转吗?现在每次上电读写的数据是什么，是不是00?