微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 手机设计讨论 > 手机基带和硬件设计讨论 > PMOS开关管 IRF7416上电瞬间导通问题请教

PMOS开关管 IRF7416上电瞬间导通问题请教

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
PMOS开关管 IRF7416上电瞬间导通几uS后关断 之后开关功能正常  ,如何去除上电导通那几uS?


R102 改为100,测试一下波形,看看电源跌落情况

选择低导通的MOS

可能的情况:  1,Q1 B极在上电瞬时产生了高电平(可能由控制端引起,有些GPIO复位时是高)。  2,可以分别在Q1 B E之间,和在R174上并联一只1UF电容试验一下

小编解决没有?什么原因造成的?

4楼的方法应该是可行的,给你看下笔记本当中这个电路的应用

这个电路的使用场景是什么?

应该是上电瞬间Q1导通了一下,可以在Q1基极对地加一个电阻4.7K,同时并联电容0.1UF到地。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top