三极管和mos管做开关用时候有什么区别
学习中......
大虾们能不能讲的详细点啊，比如说个例子画个图怎么的！
谢谢！
晶体管开关损耗大，mos管的话，相对就会小很多。其次，晶体管做开关管，开关频率要比mos管低，因为晶体管的有恢复时间长。
三极管基极电压会改变，如果还连到别处，会有影响
三极管是靠电流来控制的,而mos管是靠电压控制其开关的.
4 楼说的到位
TTL中用三极管，TTL能驱动MOS，MOS不能驱动TTL
總結一下:
1.三極管作開關管用時是工作在飽和區和截止區
2.一個是電流控制﹐一個是電壓控制
3.三極管开关频率要比mos管低，因为晶体管的有恢复时间长。
同意4楼的，补充一点：MOS管是压控的电流源，三极管是流控的电流源
1、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，
1、成本问题：三极管便宜，mos管贵。
2、功耗问题：三极管损耗大。
3、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。
MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管
怎么说那，就是一个是电流控制，一个是电压控制。
电流控制反应速度比较慢，延时比较长。电压控制就是速度快，但是导通的电流能力相对较小。
至于怎么用，具体情况具体分析，看小编的了。
一个最简单的理解，你打开了MOS，电平不会改变，你打开了BJT，电平变了0.7V了，就不能再去控制别的地方了
同意
学习
MOS管用于数字信号的多
?
你不会告诉我电源通路是数字电路吧?
楼上的DX说得很明白了，
我们一般是用MOS的。
建议看《晶体管电路设计》，看完了还不明白的就要打PP了，那本书真的很经典，可惜是JP写的
速度上，BJT慢，深饱和。
最大承受电流上，BJT胜过MOS, 除非POWER MOSFET，一般MOS的沟道并不宽，只是base下面的一点点，而BJT整个接触面都可以传输电流。
BJT有固定压降，MOS较小
BJT和MOS谈不上谁便宜谁贵，关键看芯片本身的工艺，要能兼容且成本最低
其实实际的应用中是BJT常用来做逻辑控制，而MOS管常用来做功率控制
carlos
等级：高级工程师 :
一个最简单的理解，你打开了MOS，电平不会改变，你打开了BJT，电平变了0.7V了，就不能再去控制别的地方了
你说的不是很了解,可以具体讲讲吗?
0.7V是pn结节电压
efficiency: MOS>BJT
recovery speed: MOS>BJT
书上一般都说晶体管是电流控制型，但我认为把它也理解为电压控制型更合理，因为一般都是控制基极的电压来实现的，虽然实际的输出是跟输入的基极的电流大小直接相关的，但毕竟也是通过改变电压来实现的。即使输入到基极的电流来自恒流源，那调节恒流的方法也是通过调节固定电压上的负载来实现，真正起作用的仍然是电压。再说了，只有有了电位差，才会有电流流动。
实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，已npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。
以前我也不明白，后来在一次调试中才理解了，当三极管导通时Vbe间的压降接近于0.7V，因此假设原来基极的高电平为3.3V，导通后基极的电平是否被拉低到0.7V了。因此为了避免驱动端的电平被拉低，一般都在基极串已电阻。
受教了。好内容
三极管是电流驱动型,CMOS管是电压驱动,相对而言MOs功耗低.反应速度上三极管快.10楼说的周到.
学习
加油 狂补知识
还是看具体用在什么地方，在做选择吧！
學習了
mos管作为开关管时，由于是电压控制开关的导通与截止，所以并不会由漏电流，mos管导通是电路等同与导线；
三极管作为开关管时，由于是电流控制，要考虑基极电流与电压，而且导通后有压降，而且要考虑三极管的耗散功率。
给个图好好研究。