求教,N-MOSFET反向电流

N_MOS 在Vgs间加正压大于门槛值，MOS导通。电流可由D-->S，也可S-->D。主要是看DS间的电位，D电位高于S，电流D到S。S电位高于D，电流S到D。主要是G-S正偏就可以了。

2楼的不要误导。现在的MOS-FET，都已作了优化，其背删极都已经与低电位（N）或者高电位（P）联通。对于NMOS，若要电流流过DS，只能通过反型层，而电流从S-〉D是经过MOS的body diode的，条件是S极电位高于D。

谢谢指点

那请问三楼，如果我想用N-MOS做同步整流。注意（同步整流是利用沟道导通电流的，不是利用MOS的body diode的，如果用body diode->还不如用个二极管好了）。该怎么接?

同步整流，我现在还没碰到用外加单个MOS管的方法的，我所用的都是芯片集成的，体二极管只存在于单个MOS，芯片里面集成的是没有的（如果有，会做专门说明，比如BQ24070,充电IC）

没看懂...........

　　
　同步整流时，整流管的电流是从S-->D的。
只有死区时间时，电流是从整流管的body diode上流过。

3#说的没错。

没看明白

弱弱问一下 就是说如下图 mosfet 增强型 P-CH
Uds>0 I D->S
Uds<0 I S->D
是吗?

MOS管S--D之间是一个二极管  因此可以把其当做一个二级管用

3楼的说的没错

3楼正解

请以上2楼看清问题，很简单的问题，非要搞的这么复杂，不明白可以问，但是不要误导新手，MOS管是个沟道导通器件，NMOS在GS间加正偏，沟道导通。上面的为三个图，第一个为电流D-->S，右边第二个为电流S-->D。下面第三个为S-->D（利用的是体二极管），下面的一张图片为电路参数结果，第一张为驱动电压15V，这个时候MOS导通，第一个是驱动电压不用说了，第二个为导通后MOS管到地的电压，请注意为-2mV，电流为下到上（这也是很多DC_DC降压电路中使用的方法，如下图M5，可以提高效率，），第3个为利用MOS管的体二极管导通，可以在原理图看到MOS管的GS间短起来了，请注意这个时候导通压降在-0.5V，根据功率计算MOS的导通损耗功率为U*I导通压降*电流，很明显第二个加驱动后要比第三个利用体二极管导通的功耗小很多，（另外说一点，这种电路要MOS管的导通电阻*电流<二极管的导通压降才能提高效率，在几个安培的电路中使用很广泛）。对于MOS电流怎样流，请参考我在第2楼说的。

这个图清晰点

对于11楼的问题，请参考以下图片

感谢,学习了

你这个图片呢 怎么看不到 全是代码 呵呵
可以单独发给我吗 谢谢~~