求助一个电容测试的问题

想流片测试由SiO2/SiN/SiO2作为介质层（等效SiO2大概20nm）的平板电容，为较小流片周期，想尽量简化结构，于是想用低阻硅片（8寸，2Ω.cm）作为下电极，长出介质层和上电极，大小做的足够扎针测试（面积60um*60um）
想问一下，这样的结构下电极引入的电容大概是什么量级?是否会影响测试高频（1MHz）CV特性?