微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 手机设计讨论 > 手机基带和硬件设计讨论 > 关于SAMSUNG CORTEX A9(S5PV310)挂载DDR3的问题。

关于SAMSUNG CORTEX A9(S5PV310)挂载DDR3的问题。

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
大家好,我们目前选用SAMSUNG 的S5PV310做一款产品,S5PV310包含两个通道的MEMERY接口,可挂载2G  DDR3,每个通道下,分别挂载4片 256MB DDR3 SDRAM,目前我们应用中1G DDR3已经足够,我设计中是只在通道一下面挂载4片DDR3芯片工艺1G.请问这样会存在什么问题!?SAMSUNG官方是推荐在每个通道下分别挂载两片,这样效率更高。附上SAMSUNG的建议---{Unless XM1 and XM2 DRAM port are used together, The full performance cannot be accomplished.
Because the DRAM operation cannot perform the interleaving operation. Share the port and maintain
the balance. For example, In case of configurations for 1GB capacity, Assign DRAM to both XM1 and XM2 each
512MByte and only One Chip select (XM1CS*, XM2CS*) is used per DRAM port.}在线等求解答。谢谢各位。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top