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请教关于DDR2-800的问题

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
我用的DDR2是镁光2G的DDR2-800M封装84ball,测试时发现:
1,DDR2跑500多M时可以跑起来,跑到680M时,差分的(DQS0&DQSN0)和(DQS1&DQSN1)上的串接的4颗电阻需要改成100R,才能跑起来。数据线,地址线,控制线上串接的33R排阻不需更改。
2,PCB数据线组,地址线组做了严格等长,阻抗匹配单端做的55R,差分线是100R。
从现象看是阻抗不匹配的问题。但是PCB做了严格的阻抗匹配。本人不是很理解此现象,望有经验的朋友指点。非常感谢!

感谢各位的回复!我做过一版本把和DDR2串接的(地址线组,控制线组,数据线组,时钟线)所有的排阻都删除的PCB,还是只能跑500多M,跑680M的话CRC ERROR;我用的CPU和DDR2(MT47H64M16-25)之间是直连的,没有上拉电阻;PCB layout上,差分的(DQS0&DQSN0)和(DQS1&DQSN1)在顶层,第二层是地平面,第3层是3.3V的电源(包住了所有的DDR的走线),第4层有几根数据线,第五层是DDR的1.8V的电源层(包住了所有的DDR的走线),第6层是大部分的数据线和地址线。走线上没有跨电源的分隔层。我在想是不是应把第4层那几根数据线放到第3层,让他们有一个参考层是地层。

我不知道你用的是什么平台的CPU or NB,按理来说一般新的都不需要在进行阻抗匹配了,你可以按照前面人的建议,把所有的匹配电阻都换成0ohm试试看。
PS:你有把address 和Crtl BUS pull high到0.9V?

有条件的话,做EA测试(量信号),什么问题都反映出来了

从小编的现象上看:
1、这个故障肯定是信号完整性的问题;
2、可以试试将数据线、地址线和控制线上串的33欧电阻用0欧或10欧替代;看看效果;
3、数据线和地址线严格等长并不能100%保证信号完整性问题,还要看走线的长度、走线有没有跨平面等方面;小编在优化走线时要考虑这些因素。

频率提升导致出错的肯定是时序方面的问题。修改clk的电阻,匹配是一方面,延缓clk的跳变沿也是一种因素。建议小编修改DDR的驱动能力,看看是否有改善?

建议你修改一版layout.我感觉有几个问题比较怀疑:
1.DDR signal Bus 不建议走TOP 和 BOT.
2.power plane 如果不能单独割成GND,也至少要reference to DDR pwr 1.8V,
而不是3.3V。
3.如果修改layout的话,建议你把Stack up改成SPSSGS

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