关于晶体电容的选择
为什么要选择这两个电容?
这两个电容有什么参考依据?
请各位达人指教.多谢！[upload=jpg]UploadFile/2009-4/0947@3721RD_晶体的电容选择.JPG[/upload]
楼上的错了，MT6139的晶振也是无缘晶振，只不过他的负载电容集成到了收发器内部。我们调节AFC就是调节内部的电容。由于26M的精度要求在0.1ppm，所以简单的外接电容满足不了要求，就要内部接可控制电容阵列和变容二极管。如下图
【求赏钱】
【数 额】:1
[UseMoney=1]
打赏我1RDB吧！谢谢
[/UseMoney]
同问?
没有人知道吗?
每一个无源晶振都一个参数叫做负载电容，它的作用就是用来晶体起振时的那个电容，晶体外面的电容值必须要满足这个负载电容的要求，否则不起振或频率出错。而这个负载电容的大小有三部分组成，其中最主要的组成成分就是这你所要问的那两个电容的并联值。所以你要问究竟要怎么选择，一般我们选用晶振spec上的参考数值，并尽量靠近晶振，并保持平衡。
如有不同，请继续跟帖，大家一起来探讨
无源晶体在使用的时候，都会有负载电容的要求，建议小编看下晶体的规格书。一般这个负载电容几个PF到几时PF，一般不会超过50PF。
规格书上的这个负载电容等于实际安装的电容加上杂散电容。调节负载电容的值，能够微调输出的频率。一般电容越大，频率越低，电容越小，频率越高。
晶振的等效电路就是一个电容加电感再加电阻串联起来，晶振外围加两个电容正好组成电容三点式振荡电路，没有这两个电容，晶振不能起振，电容参数不正确，轻则频率发生偏移，重侧不起振，电容的选择是根据晶振的负载电容而定。一般是两个电容的并联值再加上杂散电容值。两个电容的数值可以相同也可以不同，大多数选值相同。
多谢了！
在 MT6139中,用的26M晶体却没有两个电容,那它是怎么起振的呢? 如图所示
[upload=jpg]UploadFile/2009-5/09512@3721RD_没有电容的晶体.JPG[/upload]
是负载电容了，晶体/晶振的datasheet中肯定都有这个参数，这个值最好那厂家推荐吧，不一样问题也不是很大了，像很多32.768KHz的晶体，负载电容要12.5PF，但12.5PF的电容很特殊，一般没有。我们用20P和22P的代替都没有问题。
学习啦
学习了
专业晶振测试研发销售单位:
苏州飞创电子实验室
张工
13912601158
zhangshun_666@163.COM
顶上去，请大大回答10楼的问题啊，比较疑惑！
同样疑惑，大人在哪里?
有的芯片，内部电容很大，可以不加负载电容使用的。晶体能起振，且偏差不大。
一般芯片厂家很少关注这个管脚的电容的，使设计时晶体及负载电容的选择很麻烦。
匹配电容等于晶体的负载电容，晶体的频偏最小。
但匹配电容和芯片共同影响电路的负阻，而负阻又会影响晶体的起振，即晶体电路可能不起振。
基础知识啊！rd们要加油啊！看电路图就知道,32k是无源晶振,匹配电容的选择一般是晶振负载电容的两倍,这样并联起来,接近负载电容,才能起振！26m是有源晶振,不需要谐振电路！看管脚接法就能看出来哪个是有源,哪个是无源的！
严重同意20楼