关与MOS管导通时间的问题

电路图如附件，当HSDPA_PWREN为高电平时，U18导通，Q14关闭；当当HSDPA_PWREN为低电平时，U18关闭，Q14打开。现在的问题是由于u18从HSDPA_PWREN为低电平到u18关闭需要37ms，所以当u18还没有关闭时候，q14已经导通将电源电压短路到地，所以请教如何才能在u18关闭后Q14在导通，谢谢

自己顶下，那位帮忙解说下啊，谢谢了！

个人意见把Q14也延时37ms

还有我觉的HSDPA_PWREN怎么没有下拉电阻，让其快速放电。

还有我觉的HSDPA_PWREN怎么没有下拉电阻，让其快速放电。

我就是不知道怎么才能做到延迟

有下拉电阻100K

用运放做一款延时电路吧！

小编说的 “所以当u18还没有关闭时候，q14已经导通将电源电压短路到地”
是仿真的结果吗?

调试时量到的，就是说Q14导通时间比u18快，现在要实现的 是u18先关闭了，Q14再导通，需要在Q14的G前加个延时37ms，不知怎么办，加RC延时不行啊！U18的内部如下

可不可以将Q14换成一个导通延时也在37ms以上的MOS。

可以加个带delay的比较器

同意8楼的说法！

如果是频繁的开关，电容不足以维持37ms。
一定要用这个电路，可以使用延迟线，市面上可以买得到！

C243电容改大点，，起码要到10uF以上。

这应该是展讯TD的供电soft-start电路.可以调整U18的N-mos的D,S的电阻比来改变U18的时间.试试看.理论应可以.但是这样的话，U18上电的软启动就没了哦

做个RC延迟电路

可以用PCB走线长度来做延时，表层1NS走5600MIL，内层1NS走4800MIL，

更正一下,这个无法用走线来完成,或许可以RC延时来完成

更正一下,这个无法用走线来完成,或许可以RC延时来完成, 可以做单独控制