微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 手机设计讨论 > 手机射频设计讨论 > 关于射频MOS的损坏

关于射频MOS的损坏

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
各位高手,请指教,为什么射频MOS 回容易击穿GS?很郁闷,坏了很多,一个10W以上的管子,输入只有20DBM,却将GS击坏,奇怪.输入10DBM没有问题.但是管子的PDF文件可以承受3W以上的输入.请教如何防止被损坏.  谢谢!

电力电子上用的开关MOS,很少损坏的.GS的耐压都在20V.静电导致的?如何保护?

建议
1.查一下环境电路
2.输入10dBm时候,输出接上频谱仪,然后把输入功率慢慢加大,看看是否有自激现象。

1, 要知道你的MOS是在什么情况下死的,这个非常重要,可能是自激,也可能是上电不正当造成;
2, 看是否有自激,这个死管子很快,你最好把电源电流限死,也可以看到是否自激,自激电流很大;
3, MOS PA 有上电时序要求,  应是先上漏极电压,再上Vgs;
4, 最好测下DEMO板,看下其静态参数,再把你的板子调成DEMO一样的直流参数;
5, 上小信号看有没有自激,看频谱;
6, 做好散热.

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top