手机电路中的常用英文缩写及其作用
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手机电路中的常用英文缩写及其作用
MCLK:MAIN CLOCK 主时钟。从T-TOP出，至CPU。此信号为开机的条件之一，手机开机CPU必须供电、时钟、复位三个条件后，才能和FLASH、NAND一起调用开机程序和数据。因此在手机不开机时，此信号为一重点检查信号。在测量此信号时，要在离CPU最近的测试点测试。除了要测时钟频率外，还应检测其电压值是否正常。现在此信号基本上都是从T-TOP给出的，因此若此信号没有，我们还要测试给T-TOP的电压是否到位。
PWRRST：复位信号。从电源模块出，至CPU。此信号为开机的条件之一，手机开机CPU必须供电、时钟、复位三个条件后，才能和FLASH、NAND一起调用开机程序和数据。因此在手机不开机时，此信号为一重点检查信号。此信号主要是对CPU 进行清零，从而实现初始化过程。手机开机后，电源模块产生VDIG，电阻电容送到CPU的复位端，由于电容为充电电容，故CPU的电压不能马上升高，需等到电容充满电后才能升高。这段充电时间，实际就是CPU的清零过程，也就是CPU开机时刻的自检过程，自检过程能否通过与CPU的电压值有密切关系。若复位后电压值达不到正常值，则说明手机自检不成功，手机不开机。
CLKREQ:时钟请求信号。从蓝牙模块出，至CPU,电源模块。我们可以从电源模块的1301文件中查到此信号是和SLEEP信号一起工作的，这就可以解释为什么K790在休眠状态下死机的故障时，通过换此信号线上的电阻可以解决。
IRQ：中断请求信号。和复位信号同时出现。
SLEEP:休眠信号。手机在不使用时，为了省电，手机会进入休眠状态，此刻电流值非常小，可是手机并没有停止和基站的联系，过一定的时间，手机会和基站的联系，这就是为什么在休眠状态你可以看到电流会自动回升。故不影响呼叫的呼入。
DATA0-DATA15:16位的地址线，连接 CPU和FLASH。我们说的FLASH 即Nor FLASH ,它支持寻址，故我们可以看到CPU和FLASH之间的24条地址线。而我们可以看到连接CPU和NAND FLASH的数据线为DATA0-DATA7。因为FLASH可通过寻址来查找数据，而NAND必修从头开始读，因此FLASH读些数据的速度较快，同理，NAND写数据的速度较快。FLASH 的片选信号为CS(CHIP SELECT),NAND的为CE(CHIP ENABLE),正常的片选信号应是脉冲信号。如果片选信号始终是高电平，则CPU虚焊或损坏，或者CPU不能复位或电路板内断线。如果片选信号正常或不全是高电平，表明相应的元件或软件有问题。
FLASH NAND
存放内容 存放系统程序 存放SIM卡的数据及用户数据
片选信号 CS(CHIP SELECT) CE(CHIP ENABLE)
数据线 DATA0-DATA15 DATA0-DATA7
地址线 ADR1- ADR24 无
写信号 WE(WRITE ENABLE) WE(WRITE ENABLE)
写保护 WP(WRITE PROPECT) WP(WRITE PROPECT)
读信号 OE(OUTPUT ENABLE) RE(READ ENABLE)
时钟信号 MEMCLK 无
状态信号 MEMWAIT NANDRDY
其它 低bank选通信号LB，高bank选通信号UB 无
RTEMP/OPTOTEMP:TEMP即temperature温感保护电阻，我们可以看到有两个温感电阻，分别在电源模块和T-TOP旁边,我们知道，在手机中，最耗电、最易漏电的元器件就是电源模块和T-TOP，因此当温感电阻感知到温度超过手机的温度范围，手机就会自动断电保护。
FLASH_LED_TEMP;闪光灯温感保护，当闪光灯温度超过范围时，会启动自断电保护功能。
ADSTR;模数转换的启动信号，控制电源模块中的模数转换，同时控制着温感保护电阻。
VBACKUP;为手机断电时实时时钟提供电源，若手机断电时实时时钟不能维持，应查此信号。
MICP_AUX: 耳机模式下的话筒信号
MIC（送话器）;它是一个“声”—“电”转换器件，可以把我们讲话的声音“变”为 “电信号”，这个电信号是音频信号，通常叫低频信号。手机中的MIC多数在工作中要有“电”的支持才会工作，大约需要1.5V以上的电压，在手机拨“112”或“通话”中可以在MIC两端测到1.5V左右的电压。待机状态为了省电MIC是不供电的。
SPK（听筒）;与MIC作用相反，可以把低频电信号转换成声音信号。可以用数字表测到一定的阻值，用电源的2V电压加到听筒两端在“通断”时可听到“嗑嗑”声。
BEARR/ BEARN:听筒信号，由电源模块中出来。
SPL/SPR:耳机模式下的听筒信号。
SPRef/MIDRef/FM_ANTENNA: 耳机模式下的听筒参考信号/耳机模式下的话筒参考信号/收音机天线
AID/ACB/VPP:免提模式控制信号/刷程序时的控制信号,连至FLASH。
SERVICE;刷程序时，连至CPU的信号。
FML/ FMR;收音机信号。
I2CDAT/ I2CCLK;地址和数据总线数据/时钟，由CPU出来，至电源模块、照相模块及收音机模块。
PCMSYN/PCMCLK/PCMDATA/PCMDATB:PCM编码信号 由CPU出来，至电源模块和蓝牙模块。PCM编码（又叫脉冲编码调制）,数字通信的编码方式之一。主要过程是将话音、图像等模拟信号每隔一定时间进行取样，使其离散化，同时将抽样值按分层单位四舍五人取整量化，同时将抽样值按一组二进制码来表示抽样脉冲的幅值。
WLBRGT;显示屏亮度控制信号，由CPU出来，控制着显示屏的亮度
BLGTEN: 显示屏亮度控制信号,由电源模块出来，控制着显示屏的亮度
SIMVCC/ SIMRST/ SIMDAT/SIMDAT;SIM卡电压/ SIM卡复位信号/ SIM卡数据信号/SIM卡时钟信号
DTMS/DFMS/CTMS/CFMS;刷程序时的数据信号和控制信号。
VBUS/USBSENSE/USBPUEN/USBDM;USB信号
DCIO/DCIO_ON/DCIOint;充电信号
ANT:天线。用来将高频电磁波转化为高频电流或将高频信号电流转化为高频电磁波。
ANTSW;天线开关控制信号，在发射状态下是高电平，接受状态是低电平。
SYN-ON;频率合成开关信号，作为频率合成控制信号来控制本振信号（LO），在接收、发射状态下该脚均为高电平。
SYN-CLK;频率合成时钟信号，作为频率合成控制信号来控制本振信号（LO）。
SYN-DAT;频率合成数据信号，作为频率合成控制信号来控制本振信号（LO）。
TX-ON;发射使能信号。主要用来控制天线开关的
BIAS：偏压。被用来控制功率放大器或其他相应的电路。
MODA-MODD:发射时的基带信号，由CPU出来，若无，肯定会引起发射故障。
RADSTR/RADDAT/RADCLK:射频控制信号。 CPU通过这三条线对锁相环发出改变频率的指令，在这三条线的控制下，锁相环输出的控制电压就改变了，用这个己变大或变小了的电压去控制压控振荡器的变容二极管，就可以改变压控振荡器输出的频率。
IDATA/QDATA/DCLK;接收信号，IDATA/QDATA的频率为67.707KHz
BANDSEL;频段选择信号。低电平时，手机工作在GSM模式；高电平时，手机工作在DCS模式
VCXOCONT:基准频率时钟控制信号。主要由13MHz晶体及中频模块等组成，产生13MHz基准频率，并将13MHz基准频率送到逻辑控制电路，用作逻辑电路的主时钟（MCLK）。当VVCO电压加到中频模块及13MHz晶体时，13MHz振荡电路便开始工作，产生的13MHz频率经中频模块放大输出至逻辑控制电路作为系统主时钟。从多模转换器送来的VCXOCONT信号作为基准频率的控制信号，用以微调13MHz基准频率的准确度。该控制信号为一个电压信号，通过阻容元件加到变容二级管上，变容二级管的电容量则随控制电压的变化而发生变化。当电压增大时，变容二级管的电容量就会减小；反之，当电压减小时，变容二级管的电容量就会增大。而当谐振回路的电容量发生变化时，振荡频率也随之变化。因此可通过VCXOCONT控制电压的变化达到微调13MHz基准频率的目的。无13MHz基准时钟，手机将不开机，13MHz基准时钟偏离正常值，手机将不入网
MCLK:MAIN CLOCK 主时钟。从T-TOP出，至CPU。此信号为开机的条件之一，手机开机CPU必须供电、时钟、复位三个条件后，才能和FLASH、NAND一起调用开机程序和数据。因此在手机不开机时，此信号为一重点检查信号。在测量此信号时，要在离CPU最近的测试点测试。除了要测时钟频率外，还应检测其电压值是否正常。现在此信号基本上都是从T-TOP给出的，因此若此信号没有，我们还要测试给T-TOP的电压是否到位。
PWRRST：复位信号。从电源模块出，至CPU。此信号为开机的条件之一，手机开机CPU必须供电、时钟、复位三个条件后，才能和FLASH、NAND一起调用开机程序和数据。因此在手机不开机时，此信号为一重点检查信号。此信号主要是对CPU 进行清零，从而实现初始化过程。手机开机后，电源模块产生VDIG，电阻电容送到CPU的复位端，由于电容为充电电容，故CPU的电压不能马上升高，需等到电容充满电后才能升高。这段充电时间，实际就是CPU的清零过程，也就是CPU开机时刻的自检过程，自检过程能否通过与CPU的电压值有密切关系。若复位后电压值达不到正常值，则说明手机自检不成功，手机不开机。
CLKREQ:时钟请求信号。从蓝牙模块出，至CPU,电源模块。我们可以从电源模块的1301文件中查到此信号是和SLEEP信号一起工作的，这就可以解释为什么K790在休眠状态下死机的故障时，通过换此信号线上的电阻可以解决。
IRQ：中断请求信号。和复位信号同时出现。
SLEEP:休眠信号。手机在不使用时，为了省电，手机会进入休眠状态，此刻电流值非常小，可是手机并没有停止和基站的联系，过一定的时间，手机会和基站的联系，这就是为什么在休眠状态你可以看到电流会自动回升。故不影响呼叫的呼入。
DATA0-DATA15:16位的地址线，连接 CPU和FLASH。我们说的FLASH 即Nor FLASH ,它支持寻址，故我们可以看到CPU和FLASH之间的24条地址线。而我们可以看到连接CPU和NAND FLASH的数据线为DATA0-DATA7。因为FLASH可通过寻址来查找数据，而NAND必修从头开始读，因此FLASH读些数据的速度较快，同理，NAND写数据的速度较快。FLASH 的片选信号为CS(CHIP SELECT),NAND的为CE(CHIP ENABLE),正常的片选信号应是脉冲信号。如果片选信号始终是高电平，则CPU虚焊或损坏，或者CPU不能复位或电路板内断线。如果片选信号正常或不全是高电平，表明相应的元件或软件有问题。
FLASH NAND
存放内容 存放系统程序 存放SIM卡的数据及用户数据
片选信号 CS(CHIP SELECT) CE(CHIP ENABLE)
数据线 DATA0-DATA15 DATA0-DATA7
地址线 ADR1- ADR24 无
写信号 WE(WRITE ENABLE) WE(WRITE ENABLE)
写保护 WP(WRITE PROPECT) WP(WRITE PROPECT)
读信号 OE(OUTPUT ENABLE) RE(READ ENABLE)
时钟信号 MEMCLK 无
状态信号 MEMWAIT NANDRDY
其它 低bank选通信号LB，高bank选通信号UB 无
RTEMP/OPTOTEMP:TEMP即temperature温感保护电阻，我们可以看到有两个温感电阻，分别在电源模块和T-TOP旁边,我们知道，在手机中，最耗电、最易漏电的元器件就是电源模块和T-TOP，因此当温感电阻感知到温度超过手机的温度范围，手机就会自动断电保护。
FLASH_LED_TEMP;闪光灯温感保护，当闪光灯温度超过范围时，会启动自断电保护功能。
ADSTR;模数转换的启动信号，控制电源模块中的模数转换，同时控制着温感保护电阻。
VBACKUP;为手机断电时实时时钟提供电源，若手机断电时实时时钟不能维持，应查此信号。
MICP_AUX: 耳机模式下的话筒信号
MIC（送话器）;它是一个“声”—“电”转换器件，可以把我们讲话的声音“变”为 “电信号”，这个电信号是音频信号，通常叫低频信号。手机中的MIC多数在工作中要有“电”的支持才会工作，大约需要1.5V以上的电压，在手机拨“112”或“通话”中可以在MIC两端测到1.5V左右的电压。待机状态为了省电MIC是不供电的。
SPK（听筒）;与MIC作用相反，可以把低频电信号转换成声音信号。可以用数字表测到一定的阻值，用电源的2V电压加到听筒两端在“通断”时可听到“嗑嗑”声。
BEARR/ BEARN:听筒信号，由电源模块中出来。
SPL/SPR:耳机模式下的听筒信号。
SPRef/MIDRef/FM_ANTENNA: 耳机模式下的听筒参考信号/耳机模式下的话筒参考信号/收音机天线
AID/ACB/VPP:免提模式控制信号/刷程序时的控制信号,连至FLASH。
SERVICE;刷程序时，连至CPU的信号。
FML/ FMR;收音机信号。
I2CDAT/ I2CCLK;地址和数据总线数据/时钟，由CPU出来，至电源模块、照相模块及收音机模块。
PCMSYN/PCMCLK/PCMDATA/PCMDATB:PCM编码信号 由CPU出来，至电源模块和蓝牙模块。PCM编码（又叫脉冲编码调制）,数字通信的编码方式之一。主要过程是将话音、图像等模拟信号每隔一定时间进行取样，使其离散化，同时将抽样值按分层单位四舍五人取整量化，同时将抽样值按一组二进制码来表示抽样脉冲的幅值。
WLBRGT;显示屏亮度控制信号，由CPU出来，控制着显示屏的亮度
BLGTEN: 显示屏亮度控制信号,由电源模块出来，控制着显示屏的亮度
SIMVCC/ SIMRST/ SIMDAT/SIMDAT;SIM卡电压/ SIM卡复位信号/ SIM卡数据信号/SIM卡时钟信号
DTMS/DFMS/CTMS/CFMS;刷程序时的数据信号和控制信号。
VBUS/USBSENSE/USBPUEN/USBDM;USB信号
DCIO/DCIO_ON/DCIOint;充电信号
ANT:天线。用来将高频电磁波转化为高频电流或将高频信号电流转化为高频电磁波。
ANTSW;天线开关控制信号，在发射状态下是高电平，接受状态是低电平。
SYN-ON;频率合成开关信号，作为频率合成控制信号来控制本振信号（LO），在接收、发射状态下该脚均为高电平。
SYN-CLK;频率合成时钟信号，作为频率合成控制信号来控制本振信号（LO）。
SYN-DAT;频率合成数据信号，作为频率合成控制信号来控制本振信号（LO）。
TX-ON;发射使能信号。主要用来控制天线开关的
BIAS：偏压。被用来控制功率放大器或其他相应的电路。
MODA-MODD:发射时的基带信号，由CPU出来，若无，肯定会引起发射故障。
RADSTR/RADDAT/RADCLK:射频控制信号。 CPU通过这三条线对锁相环发出改变频率的指令，在这三条线的控制下，锁相环输出的控制电压就改变了，用这个己变大或变小了的电压去控制压控振荡器的变容二极管，就可以改变压控振荡器输出的频率。
IDATA/QDATA/DCLK;接收信号，IDATA/QDATA的频率为67.707KHz
BANDSEL;频段选择信号。低电平时，手机工作在GSM模式；高电平时，手机工作在DCS模式
VCXOCONT:基准频率时钟控制信号。主要由13MHz晶体及中频模块等组成，产生13MHz基准频率，并将13MHz基准频率送到逻辑控制电路，用作逻辑电路的主时钟（MCLK）。当VVCO电压加到中频模块及13MHz晶体时，13MHz振荡电路便开始工作，产生的13MHz频率经中频模块放大输出至逻辑控制电路作为系统主时钟。从多模转换器送来的VCXOCONT信号作为基准频率的控制信号，用以微调13MHz基准频率的准确度。该控制信号为一个电压信号，通过阻容元件加到变容二级管上，变容二级管的电容量则随控制电压的变化而发生变化。当电压增大时，变容二级管的电容量就会减小；反之，当电压减小时，变容二级管的电容量就会增大。而当谐振回路的电容量发生变化时，振荡频率也随之变化。因此可通过VCXOCONT控制电压的变化达到微调13MHz基准频率的目的。无13MHz基准时钟，手机将不开机，13MHz基准时钟偏离正常值，手机将不入网
强！
小编能否总结一下生产BT\FT各测试原理及中文说明?
不错，继续顶
学习了，谢谢
整理很详细，谢谢分享
谢谢分享。、