手机LAYOUT高级问题:baseband和memory正反重叠的可行性讨论及分析
时间:10-02
整理:3721RD
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有经验的layouter 有没有思考过这么一个难题
或者已经实践了这么一个方案
baseband和memory都是BGA 的情况下如何实现正反面正好重叠的布局和走线。
实现起来非常困难
但并非是做不到,我曾经在一个国外的板子上见过老外这么干过
有一点可以肯定别人肯定是用二阶埋盲孔甚至二阶以上别的什么技术
我觉的难点在于盲孔的打孔。
另外stack via技术也需要用到,也就是盲孔塞孔填充技术,这样一些孔可以重叠省去一些空间。
本人知识面有限能想到的就这些了。
或者已经实践了这么一个方案
baseband和memory都是BGA 的情况下如何实现正反面正好重叠的布局和走线。
实现起来非常困难
但并非是做不到,我曾经在一个国外的板子上见过老外这么干过
有一点可以肯定别人肯定是用二阶埋盲孔甚至二阶以上别的什么技术
我觉的难点在于盲孔的打孔。
另外stack via技术也需要用到,也就是盲孔塞孔填充技术,这样一些孔可以重叠省去一些空间。
本人知识面有限能想到的就这些了。
关键看BGA的PITCH的间距!
0.5pin pitch+0.8pin pitch
用二阶不用叠孔的话是比较麻烦!
是啊,看看大家还能想到什么方法
顺便提个问题: 0.5pitch的bga 是不是直接把via打在pad上的?
哈哈后,搞笑吧你;你就连个mem,别的都不连了...
回6F,原则是能不打,尽量不打
否则SMT后会有气泡
别的当然连了
baseband要出的线照出
不是我搞笑老外实实在在做出来的板子放在面前,不得不服
应该采用的不是HDI技术,是松下的ALIVH技术
非常非常的感谢9F
有时侯像您这样的人就像海里的灯塔
可以实现吧,就是多打几个via
