路由器应用的DDR2、DDR3 SDRAM可替代Lyontek、Samsung、ISSI、

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专注SDRAM：DDR2 SDRAM
            DDR3 SDRAM
可替代Lyontek、Samsung、ISSI、Cypress HYNIX  Etron Winbond SDRAM/DDR等产品，
部分参数：
H57V1262GFR        128Mb        8M*16        8Banks        LC(L)50/C(L)60/C(L)70/C(L)75        4K/64ms 3.3±0.3V        60Ball FBGA
H57V1262GTR        128Mb        8M*16        4Banks        LC(L)50/C(L)60/C(L)70/C(L)75        4K/64ms 3.3±0.3V        54pin TSOP(II)
H57V2582GTR        256Mb        32M*8        8Banks        LC(L)50/C(L)60/C(L)70/C(L)75        4K/64ms 3.3±0.3V        54pin TSOP(II)
H57V2562GFR        256Mb         16M*16              8Banks        LC(L)50/C(L)60/C(L)70/C(L)75        4K/64ms 3.3±0.3V        60Ball FBGA
H57V2562GTR        256Mb        16M*16         8Banks        LC(L)50/C(L)60/C(L)70/C(L)75        4K/64ms 3.3±0.3V        54pin TSOP(II)
HYNIX DDR SDRAM系列规格参数
Part Number        Density        Ory        Bank        Package/Speed        Refresh      Power(V)        Package
H5DU1262GTR        128Mb        8M*16        4Banks        LC(L)CC/C(L)B3        4K/64ms 2.5±0.1V        66PinTSOPII
H5DU2582GTR        256Mb        32M*8        8Banks        LC(L)CC/C(L)B3        8K/64ms 2.5±0.1V        60BallFBGA
H5DU2562GFR        256Mb         16M*16  8Banks        LC(L)CC/C(L)B3        8K/64ms 2.5±0.1V        60BallFBGA
H5DU2562GTR        256Mb        16M*16   8Banks        LC(L)CC/C(L)B3        8K/64ms 2.5±0.1V        66PinTSOPII
H5DU5182EFR        512Mb        64M*8        8Banks        LC(L)CC/C(L)B3        8K/64ms 2.5±0.1V        60BallFBGA
H5DU5182ETR        512Mb        64M*8        8Banks        LC(L)CC/C(L)B3        8K/64ms 2.5±0.1V        66PinTSOPII
H5DU5162EFR        512Mb        32M*16        8Banks        LC(L)CC/C(L)B3        8K/64ms 2.5±0.1V        60BallFBGA
H5DU5162ETR        512Mb        32M*16        8Banks        LC(L)CC/C(L)B3        8K/64ms 2.5±0.1V        66PinTSOPII
如有需要请随时和我们联系.
我们原厂供货，价格&交期较有优势.
谢谢！
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Coco Lee(李女士)
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