数字电路面试题

——数字电路篇——

1、同步电路和异步电路的区别是什么?（仕兰微电子）

2、什么是同步逻辑和异步逻辑?（汉王笔试）同步逻辑是时钟之间有固定的因果关系。异步逻辑是各时钟之间没有固定的因果关系。

3、什么是"线与"逻辑，要实现它，在硬件特性上有什么具体要求?（汉王笔试）线与逻辑是两个输出信号相连可以实现与的功能。在硬件上，要用oc门来实现，由于不用oc门可能使灌电流过大，而烧坏逻辑门。 同时在输出端口应加一个上拉电阻。

4、什么是Setup 和Holdup时间?（汉王笔试）

5、setup和holdup时间,区别.（南山之桥）

6、解释setup time和hold time的定义和在时钟信号延迟时的变化。（未知）

7、解释setup和hold time violation，画图说明，并说明解决办法。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）

Setup/hold time 是测试芯片对输入信号和时钟信号之间的时间要求。建立时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以前，数据稳定不变的时间。输入信号应提前时钟上升沿（如上升沿有效）T时间到达芯片，这个T就是建立时间-Setup time.如不满足setup time,这个数据就不能被这一时钟打入触发器，只有在下一个时钟上升沿，数据才能被打入触发器。保持时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以后，数据稳定不变的时间。如果hold time不够，数据同样不能被打入触发器。建立时间(Setup Time)和保持时间（Hold time）。建立时间是指在时钟边沿前，数据信号需要保持不变的时间。保持时间是指时钟跳变边沿后数据信号需要保持不变的时间。如果不满足建立和保持时间的话，那么DFF将不能正确地采样到数据，将会出现metastability的情况。如果数据信号在时钟沿触发前后持续的时间均超过建立和保持时间，那么超过量就分别被称为建立时间裕量和保持时间裕量。

8、说说对数字逻辑中的竞争和冒险的理解，并举例说明竞争和冒险怎样消除。（仕兰微电子）

9、什么是竞争与冒险现象?怎样判断?如何消除?（汉王笔试）在组合逻辑中，由于门的输入信号通路中经过了不同的延时，导致到达该门的时间不一致叫竞争。产生毛刺叫冒险。如果布尔式中有相反的信号则可能产生竞争和冒险现象。解决方法：一是添加布尔式的消去项，二是在芯片外部加电容。

10、你知道那些常用逻辑电平?TTL与COMS电平可以直接互连吗?（汉王笔试）常用逻辑电平：12V，5V，3.3V；TTL和CMOS不可以直接互连，由于TTL是在0.3-3.6V之间，而CMOS则是有在12V的有在5V的。CMOS输出接到TTL是可以直接互连。TTL接到CMOS需要在输出端口加一上拉电阻接到5V或者12V。

11、如何解决亚稳态。（飞利浦－大唐笔试）亚稳态是指触发器无法在某个规定时间段内达到一个可确认的状态。当一个触发器进入亚稳态时，既无法预测该单元的输出电平，也无法预测何时输出才能稳定在某个正确的电平上。在这个稳定期间，触发器输出一些中间级电平，或者可能处于振荡状态，并且这种无用的输出电平可以沿信号通道上的各个触发器级联式传播下去。

12、[url=]IC设计[/url]中同步复位与 异步复位的区别。（南山之桥）

13、MOORE 与 MEELEY状态机的特征。（南山之桥）

14、多时域设计中,如何处理信号跨时域。（南山之桥）

15、给了reg的setup,hold时间，求中间组合逻辑的delay范围。（飞利浦－大唐笔试）
Delay < period - setup – hold

16、时钟周期为T,触发器D1的建立时间最大为T1max，最小为T1min。组合逻辑电路最大延迟为T2max,最小为T2min。问，触发器D2的建立时间T3和保持时间应满足什么条件。（华为）

17、给出某个一般时序电路的图，有Tsetup,Tdelay,Tck->q,还有 clock的delay,写出决定最大时钟的因素，同时给出表达式。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）

18、说说静态、动态时序模拟的优缺点。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）

19、一个四级的Mux,其中第二级信号为关键信号 如何改善timing。（威盛VIA2003.11.06 上海笔试试题）

20、给出一个门级的图，又给了各个门的传输延时，问关键路径是什么，还问给出输入，使得输出依赖于关键路径。（未知）

21、逻辑方面数字电路的卡诺图化简，时序（同步异步差异），触发器有几种（区别，优点），全加器等等。（未知）

22、卡诺图写出逻辑表达使。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）

23、化简F(A,B,C,D)= m(1,3,4,5,10,11,12,13,14,15)的和。（威盛）

24、please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P-
well process.Plot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the
operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve? （威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09）

25、To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?

26、为什么一个标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大?（仕兰微电子）

27、用mos管搭出一个二输入与非门。（扬智电子笔试）

28、please draw the transistor level schematic of a cmos 2 input AND gate and explain which input has faster response for output rising edge.(less delay time)。（威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09）

29、画出NOT,NAND,NOR的符号，真值表，还有transistor level的电路。（Infineon笔试）

30、画出CMOS的图，画出tow-to-one mux gate。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）

31、用一个二选一mux和一个inv实现异或。（飞利浦－大唐笔试）

32、画出Y=A*B+C的cmos电路图。（科广试题）

33、用逻辑们和cmos电路实现ab+cd。（飞利浦－大唐笔试）

34、画出CMOS电路的晶体管级电路图，实现Y=A*B+C(D+E)。（仕兰微电子）

35、利用4选1实现F(x,y,z)=xz+yz'。（未知）

36、给一个表达式f=xxxx+xxxx+xxxxx+xxxx用最少数量的与非门实现（实际上就是化简）。

37、给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图，根据输入波形画出各点波形。（Infineon笔试）

38、为了实现逻辑（A XOR B）OR （C AND D），请选用以下逻辑中的一种，并说明为什么?1）INV   2）AND   3）OR   4）NAND   5）NOR   6）XOR  答案：NAND（未知）

39、用与非门等设计全加法器。（华为）

40、给出两个门电路让你分析异同。（华为）

41、用简单电路实现，当A为输入时，输出B波形为…（仕兰微电子）

42、A,B,C,D,E进行投票，多数服从少数，输出是F（也就是如果A,B,C,D,E中1的个数比0多，那么F输出为1，否则F为0），用与非门实现，输入数目没有限制。（未知）

43、用波形表示D触发器的功能。（扬智电子笔试）

44、用传输门和倒向器搭一个边沿触发器。（扬智电子笔试）

45、用逻辑们画出D触发器。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）

46、画出DFF的结构图,用[url=]verilog[/url]实现之。（威盛）

47、画出一种CMOS的D锁存器的电路图和版图。（未知）

48、D触发器和D锁存器的区别。（新太硬件面试）

49、简述latch和filp-flop的异同。（未知）

50、LATCH和DFF的概念和区别。（未知）

51、latch与register的区别,为什么现在多用register.行为级描述中latch如何产生的。（南山之桥）

52、用D触发器做个二分颦的电路.又问什么是状态图。（华为）

53、请画出用D触发器实现2倍分频的逻辑电路?（汉王笔试）

54、怎样用D触发器、与或非门组成二分频电路?（东信笔试）

55、How many flip-flop circuits are needed to divide by 16?  (Intel) 16分频?

56、用filp-flop和logic-gate设计一个1位加法器，输入carryin和current-stage，输出
carryout和next-stage. （未知）

57、用D触发器做个4进制的计数。（华为）

58、实现N位Johnson Counter,N=5。（南山之桥）

59、用你熟悉的设计方式设计一个可预置初值的7进制循环计数器，15进制的呢?（仕兰微电子）

60、数字[url=]电路设计[/url]当然必问Verilog/VHDL，如设计计数器。（未知）

61、BLOCKING NONBLOCKING 赋值的区别。（南山之桥）

62、写异步D触发器的verilog module。（扬智电子笔试）

module dff8(clk , reset, d, q);
input        clk;
input        reset;
input  [7:0] d;
output [7:0] q;
reg   [7:0] q;
always @ (posedge clk or posedge reset)
   if(reset)
     q <= 0;
   else
     q <= d;
endmodule

63、用D触发器实现2倍分频的Verilog描述? （汉王笔试）
module divide2( clk , clk_o, reset);
   input     clk , reset;
   output   clk_o;
   wire in;
reg out ;
   always @ ( posedge clk or posedge reset)
     if ( reset)
       out <= 0;
         else
           out <= in;
       assign in = ~out;
       assign clk_o = out;
     endmodule

64、可编程逻辑器件在现代[url=]电子设计[/url]中越来越重要，请问：a) 你所知道的可编程逻辑器
件有哪些? b) 试用[url=]VHDL[/url]或VERILOG、ABLE描述8位D触发器逻辑。（汉王笔试）
PAL，PLD，[url=]CPLD[/url]，[url=]FPGA[/url]。
module dff8(clk , reset, d, q);
input        clk;
input        reset;
input   d;
output  q;
reg q;
always @ (posedge clk or posedge reset)
   if(reset)
     q <= 0;
   else
     q <= d;
endmodule

65、请用[url=]HDL[/url]描述四位的全加法器、5分频电路。（仕兰微电子）

66、用VERILOG或VHDL写一段代码，实现10进制计数器。（未知）

67、用VERILOG或VHDL写一段代码，实现消除一个glitch。（未知）

68、一个状态机的题目用verilog实现（不过这个状态机画的实在比较差，很容易误解的）。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）

69、描述一个交通信号灯的设计。（仕兰微电子）

70、画状态机，接受1，2，5分钱的卖报机，每份报纸5分钱。（扬智电子笔试）

71、设计一个自动售货机系统，卖soda水的，只能投进三种硬币，要正确的找回钱数。       （1）画出fsm（有限状态机）；（2）用verilog编程，语法要符合fpga设计的要求。（未知）

72、设计一个自动饮料售卖机，饮料10分钱，硬币有5分和10分两种，并考虑找零：（1）画出fsm（有限状态机）；（2）用verilog编程，语法要符合fpga设计的要求；（3）设计工程中可使用的工具及设计大致过程。（未知）

73、画出可以检测10010串的状态图,并verilog实现之。（威盛）

74、用FSM实现101101的序列检测模块。（南山之桥）
a为输入端，b为输出端，如果a连续输入为1101则b输出为1，否则为0。
例如a： 0001100110110100100110
       b： 0000000000100100000000
    请画出state machine；请用RTL描述其state machine。（未知）

75、用verilog/vddl检测stream中的特定字符串（分状态用状态机写）。（飞利浦－大唐笔试）

76、用verilog/vhdl写一个fifo控制器(包括空，满，半满信号)。（飞利浦－大唐笔试）

77、现有一用户需要一种集成电路产品，要求该产品能够实现如下功能：y=lnx，其中，x为4位二进制整数输入信号。y为二进制小数输出，要求保留两位小数。电源电压为3~5v假设公司接到该项目后，交由你来负责该产品的设计，试讨论该产品的设计全程。（仕兰微电子）

78、sram，falsh memory，及dram的区别?（新太硬件面试）

79、给出单管DRAM的原理图(西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9－14b)，问你有什么办法提高refresh time，总共有5个问题，记不起来了。（降低温度，增大电容存储容量）（Infineon笔试）

80、Please draw schematic of a common SRAM cell with 6 transistors,point out which nodes can store data and which node is word line control? （威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09）

81、名词:sram,ssram,sdram
名词IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDR
IRQ:   Interrupt ReQuest
BIOS:  Basic Input Output System
USB:  Universal Serial Bus
VHDL: VHIC Hardware Description Language
SDR:  Single Data Rate
　　压控振荡器的英文缩写(VCO)。
　　动态随机存储器的英文缩写(DRAM)。
名词解释，无聊的外文缩写罢了，比如PCI、ECC、DDR、interrupt、pipeline、
IRQ,BIOS,USB,VHDL,VLSI VCO(压控振荡器) RAM (动态随机存储器)，FIR IIR DFT(离散
傅立叶变换)或者是中文的，比如：a.量化误差  b.直方图  c.白平衡

——IC设计基础（流程、工艺、版图、器件）——
1、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念）。（仕兰微面试题目）
2、FPGA和ASIC的概念，他们的区别。（未知）
答案：FPGA是可编程ASIC。
ASIC:专用集成电路，它是面向专门用途的电路，专门为一个用户设计和制造的。根据一
个用户的特定要求，能以低研制成本，短、交货周期供货的全定制，半定制集成电路。与
门阵列等其它ASIC(Application Specific IC)相比，它们又具有设计开发周期短、设计
制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点
3、什么叫做OTP片、掩膜片，两者的区别何在?（仕兰微面试题目）
4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种?（仕兰微面试题目）
5、描述你对集成电路设计流程的认识。（仕兰微面试题目）
6、简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程。（仕兰微面试题目）
7、IC设计前端到后端的流程和eda工具。（未知）
8、从RTL synthesis到tape out之间的设计flow,并列出其中各步使用的tool.（未知）
9、Asic的design flow。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）
10、写出asic前期设计的流程和相应的工具。（威盛）
11、集成电路前段设计流程，写出相关的工具。（扬智电子笔试）先介绍下IC开发流程：
1.）代码输入（design input)
用vhdl或者是verilog语言来完成器件的功能描述，生成hdl代码
语言输入工具：SUMMIT   VISUALHDL
            MENTOR   RENIOR
图形输入:    composer(cadence);
            viewlogic (viewdraw)
2.）电路仿真（circuit simulation)
将vhd代码进行先前逻辑仿真，验证功能描述是否正确
数字电路仿真工具：
    Verolog：  CADENCE     Verolig-XL
               SYNOPSYS    VCS
               MENTOR      Modle-sim
     VHDL :    CADENCE     NC-vhdl
               SYNOPSYS    VSS
               MENTOR      Modle-sim
模拟电路仿真工具：
               ***ANTI HSpice pspice，spectre micro microwave:    eesoft : hp
3.）逻辑综合（synthesis tools)
逻辑综合工具可以将设计思想vhd代码转化成对应一定工艺手段的门级电路；将初级仿真
中所没有考虑的门沿（gates delay）反标到生成的门级网表中,返回电路仿真阶段进行再
仿真。最终仿真结果生成的网表称为物理网表。
12、请简述一下设计后端的整个流程?（仕兰微面试题目）
13、是否接触过自动布局布线?请说出一两种工具软件。自动布局布线需要哪些基本元素?（仕兰微面试题目）
14、描述你对集成电路工艺的认识。（仕兰微面试题目）
15、列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么?（仕兰微面试题目）
16、请描述一下国内的工艺现状。（仕兰微面试题目）
17、半导体工艺中，掺杂有哪几种方式?（仕兰微面试题目）
18、描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果?（仕兰微面试题目）
19、解释latch-up现象和Antenna effect和其预防措施.（未知）
20、什么叫Latchup?（科广试题）
21、什么叫窄沟效应? （科广试题）
22、什么是NMOS、PMOS、CMOS?什么是增强型、耗尽型?什么是PNP、NPN?他们有什么差别?（仕兰微面试题目）
23、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管，N阱的阱电位的连接有什么要求?（仕兰微面试题目）
24、画出CMOS晶体管的CROSS-OVER图（应该是纵剖面图），给出所有可能的传输特性和转移特性。（Infineon笔试试题）
25、以interver为例,写出N阱CMOS的process流程,并画出剖面图。（科广试题）
26、Please explain how we describe the resistance in semiconductor. Compare
the resistance of a metal,poly and diffusion in tranditional CMOS process.（威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09）
27、说明mos一半工作在什么区。（凹凸的题目和面试）
28、画p-bulk 的nmos截面图。（凹凸的题目和面试）
29、写schematic note（?）， 越多越好。（凹凸的题目和面试）
30、寄生效应在ic设计中怎样加以克服和利用。（未知）
31、太底层的MOS管物理特***觉一般不大会作为笔试面试题，因为全是微电子物理，公式推导太罗索，除非面试出题的是个老学究。IC设计的话需要熟悉的软件: Cadence, Synopsys, Avant，UNIX当然也要大概会操作。
32、unix 命令cp -r, rm,uname。（扬智电子笔试）
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——单片机、MCU、计算机原理——
1、简单描述一个单片机系统的主要组成模块，并说明各模块之间的数据流流向和控制流流向。简述单片机应用系统的设计原则。（仕兰微面试题目）
2、画出8031与2716（2K*8ROM）的连线图，要求采用三-八译码器，8031的P2.5,P2.4和P2.3参加译码，基本地址范围为3000H-3FFFH。该2716有没有重叠地址