传导抗干扰测试失败问题

这个产品是用阻容降压后经过串联稳压给芯片供电，现在做传导抗干扰的时候，芯片会有误动作，发生在30M~60M之间。有没有什么好的改善方法。L4,L5用的是2K欧的磁珠。共模电感，安规电容这两个是用不了了，太占地方，已经放不下了。

先测试下给芯片供电的电压波形

这个产品是用阻容降压后经过串联稳压给芯片供电，现在做传导抗干扰的时候，芯片会有误动作，发生在30M~60M之间。有没有什么好的改善方法。L4,L5用的是2K欧的磁珠。共模电感，安规电容这两个是用不了了，太占地方，已经放不下

如果在测试时需要用到电子元器件样品时，我可以免费提供，电话刘S18926562453

好像没有太大的功能