去藕电容
知道它是为了安定IC电压的，但是去藕电容去的到底是什么?
有的电源管脚还配有两个，一个大容量的，一个小容量的。请问这是为什么呢?电容的值只能参照元器件说明书的推荐值，无法有电路设计者自己计算吗?
还望各位大侠赐教。
参数手册一般讲究够用原则，就是能达到要求的最小经济值。所以参数一般都是100uf，工作电压是电容耐压的80%。这些就是告诉我们，必须要有这个电路，实际设计中，我们往往要优越这个参数。而且电容分好多种类，比如内阻，高频低频，胆电容，固态电容，这些性能不一样，所以选取参数也是可以随意变更的。实际中更多的是考虑体积性能成本综合。小电容一般就是瓷片类0.1uf基本可以滤除大部分杂波，还能防止自激，我说的也比较笼统，还望别介意。
首先，你要明白放置这些去耦电容的作用是什么?在电路系统中为了使电源不受系统中信号的影响，故加了此电容，将交流信号直接耦合到地，然后为什么去104和10uF呢?很简单这两个相对的一大一小既能够消除大部分频率信号同时还能一定程度的消除电容幅频特性曲线不平坦的影响。所以话说回来其实这个值并不是说固定的，是一个很大的范围，第二点只有在频率比较高（上百M）的时候会需要计算一些小电容。这个问题你可以再百度一下啥的应该就可以了！
大电容是提供稳定电源，防止供电波动过大，小电容是滤除高频杂波到接地，防止杂波影响电路的稳定性。这是简单的要求，要求高的要用π型电路。
大电容的取值只能大于或等于说明书的参数。
非常感谢。也就是说大小电容的幅频特性不一样，两个V字特性变成一个近似W字特性从而加宽耦合接地的频率范围。我的理解对吗?
非常感谢。听说过大电容的取值至少要是小电容的10倍，这个也只是个经验值，没有什么太多的理论根据吧?
很谢谢您的回复，对我很有帮助。
不好意思，我还想请教您一个问题。
请问两个以上去藕电容并联在一起的时候也会产生共振吗?
应该不会的，并联去耦电容也是日常常用的方法，增加效果，而且根据不同的并联，衰减不同频率段的抑制也能做到大体的选择。
实际中还会有很多电路需要并联很多，是为了分担功率，分担散热。
电容也可以分担功率吗?我还以为只有电阻。I^2*R产生功率，那么电容的话就是I^2*ESR了?
针对于这个问题，我觉得没有标准答案，每个人的理解也是不一样的，模拟电路本来就是仁者见仁智者见智的过程。
个人觉得你需要搞清楚两个概念：电阻和阻抗，去耦和旁路。去耦电容基本相当于一个“电池”，在电压波动时能提供瞬时的能量补给；旁路则是起到滤波降噪的作用。所以大的电容基本相当于去耦，小的电容则是旁路。关于电容的容值问题，这个实则应该参考电容的阻抗—频率特性。由于引线、焊接工艺、自身特性等，电容存在一定的ESR和ESL，随着频率的升高，特点的电容可能主要表现出它的ESL即电感特性，阻抗会升高，旁路的特性减弱。对于同类型的电容，容值越大，ESL越大，即高频特性越差，所以我们考虑滤波或旁路时，将几个容值相差10倍，甚至100倍的电容并联来起到旁路作用，以达到整个关注和需要的频段都有较好的供电电压。
非常感谢您的回复。在电源IC的电源管脚常见到多个电容并联，包括大小容值。但在有些小IC的电源管脚处，一般只有一个100nF的小电容，这种情况是不是这个电容既承担去藕也承担旁路的作用呢。
对于这种情况，我们认为电容应该是供电的电源应该是理想的，最重要的就是关注供电电压的纹波或噪声了，相应的我们所关注的电容特性也就主要体现在旁路上了，其实所谓100nF的电容也不是随意选择的，每个电容都有自己的谐振频率，我们所关注的纹波或者噪声频率应该低于该电容的谐振频率。
我理解了，非常谢谢您的回复。
可以，而且我想告诉你其实做硬件，我觉得如果不是天才中的天才一般学习会有两条路，一是主实践，副理论，二是主理论，副实践。我觉得你可能需要做更多的实践，而不是纠结这种小问题，而是多研究各种类型的电路或者多做一些指标性的研究，这样我觉得才是入门式的学习方法，当然只是个人想法而已。
非常感谢您宝贵的意见。我也的确正是在入门中，我会更多的实践的。谢谢。
小编很好学，向你学习，我老大也是说让我多动手实践，光看理论没用
一般用法而已，当然不是最好。只有以当前电路仿真才能得到比较准确的值。而且0.1 uf和10u是在系统40Mhz以下用。像arm fpga主频几百兆赫到1Ghz是不适用的。
谢谢分享谢谢分享