欲用PMOS做开关及控制时序， 可惜，时序没有按套路来？
2. 原理图如图1
3. 实测结果(如图2)， 12v先于5v 起来(1ms)
4. 问题出在哪呢?
注： 标签1(+5VS)，2(P12V)分别探测Q6.G, Q18.G
谢谢！
Schematic
WaveForm
你的问题出在MOS管开关哪里，GS并联的电容C与三极管集电极串联的R参数一样导致的，那为什么参数一样会导致开启时间不一样呢?因为从12V降低VTH和从5V降低VTH的时间不一样,为何?这个就从RC的冲激响应说起了：当三极管导通后，VG=(VCC*R132)/(R132+R23) +[ (VCC*R23)/(R132+R23)]*e^(-t/RC)--------这个是以5V那个MOS管来计算的。可在EXCEL表格里面计算，你看下哪个会先到VTH。
谢谢！ Fallen
1. 一针见血。
2. VG=(VCC*R132)/(R132+R23) +[ (VCC*R23)/(R132+R23)]*e^(-t/RC) 这个公式的计算结果，基本符合实测结果。 注： AP2305GN 的 Vgs(th)= -0.5
**Fallen的电路课， 很是强大。 哪毕业的?
3. Solution:把串联的电阻（12v）改成470K, 时间t就会从0.5ms delay to be 5ms. 达到5V先开启的目的。
另外， 为何三极管前端的RC 没有Delay效果(成功)? RC 的数量极太小?
数量级别太小，另外三极管的开启电压只有0.6V左右，也太小了，调节这里效果不明显
5V控12V 吧 三极管be0.几v 5V的vgs分压尽量大 最好直接对GND
HDD的电源设计 对时序有要求吗?先前设计都木有注意呀，同时给的呀。
1. HDD上电时序不是工业规范。
2. 但是， 某些项目， 应该环境比较特殊。
3. 我这个项目就是， 我的客人，在PRD里明确描述， 需要5V ready 以后, 12V再来.
很好的一个贴。
很好的贴子
这个是什么软件仿真的啊
为什么要这样设计呢?5V起来，再去控制12V不就行了?
为什么要这样设计呢?5V起来，再去控制12V不就行了?
大神，我想问一下 R132的作用是什么，去掉是不是也OK呢
R132不能去，否则只靠GS并联的电容无法调节到理想状态。