DDR2/3设计疑问

最近在学习DDR2/3的设计，遇到了些疑问，还希望热心的网友帮忙回答：
1、fly_by拓扑结构中，地址时钟命令等走线需要上拉端接电阻改善信号完整性
     疑问是：地址命令等端接电阻上拉到VTT=0.75V，然后时钟CLK通过电阻电容耦合到VCC_1V5?
                   为什么这两种端接上拉电压会不一样?
2、假设在实际应用中我只有一个DDR2/3，那么意味着是不是可以可以直接点到点的拓扑就好，不需要端接上拉电阻了?
以上。

是否需要端接要看你的具体设计，如果是点对点的，很多时候是不需要端接的。对于上拉到0.75V，这个问题主要是由于你的总线和芯片设计的原因。

谢谢菩提老树。也就是可以理解为假设具体设计为ARM+DDR2（单颗），那么对于地址命令等在设计时采用点对点拓扑就好，可以这样吗?如果不可以需要从芯片手册中确认哪些信息才可以这样做呢?

可以。但是要看看是否满足你的信号完整性，比如电气特性、时序。

这种情况得看你的DDR手册和给的参考设计，不同厂家的DDR会有不同要求，总体原理是一样的
上拉电压不一样，看下端口的定义，会有解释的
单个器件也是需要上拉的

按照参考设计来做不会有问题

谢谢flywinder。
目前手头上面没有参考设计，如果有，也不会想这么些问题了。

谢谢 阿斯兰。好的，我去看看有没有类似的I/O端口等效电路，看看是否能够找到合理的解释。谢谢！

谢谢。
我觉得还是要学会仿真才行，只有得到量化的数据了就不会担心这个担心那个了。

我做的有端接电阻的全是在DDR2 上，  在DDR3上一般无排组。  启用ODT功能

谢谢 wangshilei。
问一下你的DDR2的是采用星型拓扑吗?通常一般是有几个DDR2。

也就是地址/控制/命令信号会加末端匹配。数据的使用ODT