NAND NC引脚作用

图1

我也纳闷，一般IC生产后，厂家会做更新?既然NC了干嘛不直接去掉这几个引脚

• 有的 NAND 閃存是兩個芯片疊起來的封裝，會多出一組 CE 和 R/B 管腳。
• 三爽（Samsung）曾經出過 16 bit I/O 的 NAND 閃存，容量是沒較大、但匯流排（Data Bus）變大；資料（Data）吞吐量變大、讀寫速度跟著變快。不過 16 bit I/O 的 NAND 閃存後來並沒有流行起來，因為 NAND 閃存速度，最主要並不是卡在資料進出的時間，而是卡在閃存內部寫入（Write）和抹除（Erase）的時間。2 Plane 架構的 NAND 閃存，能讓內部的兩個區塊交替（Interleave）作業，不用增加管腳也能加快速度。
• MLC 和 TLC 有時候需要較多的接地管腳，以減低工作時產生的雜訊，避免干擾（Disturb）造成內部資料錯誤＊
  

小编,这样理解对么?1.一个nand里有2个die,如图2所示，这种nand进行多片同时编程(Simultaneously Program Multi Plane），加快读写速度。
所以对容量没有影响。多出的CE/RB上拉到3.3V是为了兼容nand.
2.规格书上会推荐NC引脚处理，如图3，所以接电源/地都可以抑制杂波。

3.NC说明如图4，它在内部没有连接，是不是意味着通过NC加控制信号(比如CE)，不能起控制NAND的作用,
所以NC的作用应该是第2个。

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顺便也讨论下emmc，现在用的比较多啊，也是有很多NC引脚的...

你用的是一个die的，所以有很多NC引脚，同样有兼容的两个die的，小编用的Nandflash小心停产，

是問我嗎?發帖人才叫樓主吧?

• NC 對芯片就是空接的意思，你接不接訊號大多沒有影響。
• 兩個芯片堆疊（Stack）的封裝，最主要是早期製程還不是那麼先進，大芯片良率不佳的狀況下，又想增加如容量的作法。例如，如果現在製程最大只能做到 2GB 的容量，有人想要用 4GB 但又沒有空間放兩顆封裝的狀況下，堆疊芯片（Stack Die）就是一個不錯的選擇。
• 雙平面（2 Plane）和堆疊芯片（Stack Die）的概念類似，唯一的差別是堆疊芯片（Stack Die）是多顆芯片組合而成的。雙平面（2 Plane）是一顆芯片，半導體設計時把內部分割成兩個區域，猶如兩顆芯片在其中。
• NC 管腳的位置據我所知，每家閃存芯片廠大致相同，但並沒有強制的標準或規定。不同供應商間，可能還是有少數幾個管腳的差異，設計上若是要多家供應商兼容，各供應商的管腳定義還是要仔細核對一下。
  

一般 IC 上不使用的管腳定義有幾種︰

• NC（No Connection or Not Connected）
  管脚沒接到內部芯片，這種管脚通常接不接信號都無所謂。
• RFU (Reserved  for Future Use)
  目前管脚未使用，但未來功能擴充時可能會用到，建議不要使用以保持彈性。這種管脚通常接不接信號也無所謂！
• DNU（Do Not Ｕse）
  管脚對使用者來說可能用不到，但芯片廠或設計者用得到，例如生產測試或偵錯模式。這種管脚通常禁止接任何東西，接了可能會死人。
  

曾經有一群人，擅自作主將DNU（Do Not Ｕse）接到GND，要加強 BGA 和 PCB 之間落下拉力，結果死板成堆。

8xNAND使用CE1 可以不接了，

8xNAND使用，CEl1可以不接啦