大家帮忙看下这个3.3V怎么来的？

没啥问题，负载电流比较小的时候，二极管的压降很小，3.9V也算是正常。
当负载电流变大的时候，二极管的压降增大，会接近3.4V。
话说，现在LDO也很便宜了，才0.15RMB，至于这麽抠门么?

控制为高时PMOS导通，二极管压降?两个1.7V?就变3.3V了。我猜的。看1N4001参数吧

正向压降1.1V，那就不应该了，不知道什么情况了。

我用万用表测了一下电压是3.9V！
   正向压降是二极管吗?

我知道了，俩个二极管压降是0.7V，加上误差就是3.9V！
   还是谢谢你的回复。

电路有问题了，

怎么说呢?能分析下吗

实物是这个现象吗，还是只是原理图这样画

你最好是量一下是不是3.3V,按理算应是3.6V,放入电路中会比3.6小些

测量出来是3.9V！

哈哈！我目前是跟着学硬件！有很多不懂的，慢慢在学习。
      还有我等下去问下为什么这么抠门..........哈哈

电路有问题的

我认为是利用两个二极管的压降。硅管压降大概是0.6~0.7V，锗管大概是0.2~0.3V。

你带负载测，如果还是3.9的话那你还得想办法所他降到3.3V，现在看来这个3.3V原理图设计不合理，后面调试时要进行改进。