整流二极管发烫

建议你看下整流二极管的“反向恢复时间”这个参数，因为一般整流二极管应用频率较低，"反向恢复时间"较长，如果和你的Fsw不匹配的话，可能会引起二极管的功耗增加，管子发热。小编最好还是把图贴上，便于分析。

如果是一般二極體，假設 V_F = 0.6V，0.6V x 400mA = 2.4W。
SMA 封裝的逸散功率（Power Dissipation）約 1.5W 左右，早超過其散熱能力了！
有三個方法︰

• 把銲盤（Pad）加大當散熱片，不過面積不小，可能不太好看。
• 選用逸散功率（Power Dissipation）更大的封裝。
• 選用 V_F 值較小的二極管，如消特基二極管（Schottky Diode）。
  

看来大神也有打盹的时候啊，呵呵！

“吃芝麻沒有不掉燒餅的”，精辟！

「仙人打鼓有時錯，腳步踏差誰人無」

小编 会不会是假货呢 才一点点电流 怎么可能会那么烫呢

既然SMA功率这么小为什么还要做成最大电流为2A的呢，那样即使焊盘加大，也起不了多大作用么

我是使用了三个管子串联的用于降压后输入LDO的，谁知道会这么烫

我选用的是S2M 型号的二极管，理论上应该没那么烫吧

以前看到TI有个文档是关于提高LDO输入电压范围的，小编可以参考下，感觉比串那么多二极管可能会更好些
http://www.ti.com.cn/general/cn/docs/gencontent.tsp?contentId=53426

仔细看了下，可以实现，但是有个问题，输出的电压随电流变化大不大，电源稳压器输入在6V左右但是电流可能随着负载的变化而变化，这个还能够适用么

“为了确定 MOSFET 栅极的最小偏置电压，就需要 MOSFET 漏极电流 (ID) 与栅—源电压 (VGS) 数据表曲线图表。就 IRF7601 而言，这些曲线表明该器件要实现 100-mA 的输出电流所需的 VGS 应略低于 1.5 V。由于在 100 mA 情况下，稳压器的最大压降为 100mV，因此稳压器的输入电压必须保持高于 2.9V。从而，MOSFET 栅极偏置至少为 1.5 V + 2.9 V = 4.4 V，这样的话，当 MOSFET 提供 100mA 电流时，其源电压不会降至 2.9V 以下。最大栅极偏置电压一般为稳压器所推荐的工作电压，或为 5.5V。该电压提供超出所需的栅极驱动，以为稳压器在断电模式下提供 1μA 的静态电流。尽管栅极可以在 4.4V 至 5.5V 之间进行偏置，但是应选择一个 5.0V 的偏置电压，以解决阈值电压下的各种变化情况”
这上面对偏置电压的设置已经做了比较详细的说明，MOS的偏置电压设置要根据LDO负载情况来调整，满足LDO输入电压需求。