Multisim仿真为何跟实际电路不同
源极漏极接反了。
没有接错，实际电路也是这样接的
我不知道你用这个电路干什么?反正觉得没必要这么复杂，而且如楼上所说，你漏源的两个脚是不是画得有些问题，你设计的思想是啥?
你把MOS接反了测个毛线 MOS肯定一直是导通的 相当于一个二极管 SD 对调一下就OK了
楼上的同学你有没有做过具体的仿真试过，反正接法我都做过仿真就是跟实际线路不同，大虾能说一下为什么吗?
楼上的同学你确实接反了，4.2-0.6V=3.6V的样子，刚好的！要反向一下才好！
MOS管内部的二极管直接导通了，点亮了LED。所以万用表上会测到3.5V的电压
LZ 仿真没有错，LZ还得好好学习下基础知识
LZ这样的接法，导通和戒指结果都一样的！
你们都说电路接法有问题，我把实际电路贴出来，DC5V处是接充电器，PB5是4.2V电池，电路原理是当有DC5V（充电器）进来时，Q16截止，用充电器供电，此电路已量产很多，我也做过测试，当没有充电器时，Q16的2脚和3脚电压一样。请你们说说这是为什么呢。
充电器的输入PMOS就是反着用的，你早说是充电用的不就清楚了吗
建议你看看模电书或者其他资料关于MOS原理的介绍。
简单说：单独的MOSFET由于工艺问题，必然存在寄生二极管，如图.其中第一个为正向接入，第二个为反向接入。
只有第一种情况下才有低电平导通，高电平截至的效果。第二种反向接法，由于寄生的体二极管，可以看出，有这个二极管，从前到后就是直接导通的，此时MOS不受控制的。这是电池充电电路的基本原理。
只所以发这个贴子，在前期设计这个电路的时候没有加R93这个电阻，所以当接充电器的时间充电电流很大，没有经过充电IC ，充电电流直接经过MOS管到电池上。我的那个电路跟你第二个图接法一样，按你这种说我不加班R93的时候充电也会经过充电IC，而不会直接从MOS管到电池上，还有按这种接法MOS管存在寄生二极管会有一个压降，但我在实际电路上也做过具体测试，电池过经MOS管几乎没有压降，这一点又怎么解释呢，
你对比下第二个情况下，有Vgs和没有Vgs不难明白了。
第二个情况在没有Vgs或者Vgs达不到开启电压的时候，体二极管就导通了，自然会有0.4左右的压降。
但是如果Vgs是低电平的话，MOS完全导通了，自然就没有体二极管了，此时的压降是由MOS得Rds决定的，压降=Rds*I，由于NMOS的导通电阻一般都是40m欧左右，所以这个压降基本是没有的。
所以，正接和反接区别在于没有导通的时候。如果Vgs达到门限了，D,S是没有区别的，电流从那边流向那边是取决于电压的高低。
明白了，感谢，一直对MOS管原理不太了解，在学校基本没有学过，呵呵