PMOS 开关管驱动电路

这个电路通过 单片机 输出一个PWM信号 驱动三极管Q6 从而驱动 PMOS Q5开关。
大神们，如何取R9 , R10 ，R11 的值 （计算原理）

  以及怎么选择MOS Q5  看那些参数?  谢谢咯！

电阻R11的选择取决于两个因素：一是单片机的输出驱动能力；二是能够让Q6进入正常的开关状态；
电阻R9、R10的选择：一是使流过这两电阻的电流小于Q6的驱动极限值和电阻自身对功耗的要求；二是分压后的电压（VGS5）尽量大些，使Q5导通内阻尽量小些；
Q5的选择：VDS电压值要大于12V（VGS电压值），过流能力满足负载端的要求；
个人觉得就这些！

我按照这个原理图 搭了一个电路。 Q5 用 SD2301   PMOS
VDS  20V   
VGS  +/- 12V  
VDSS ID RDS(on) (m-ohm) Max
100 @ VGS= -4.5V, ID= -2.8A -20V -2.8A
150 @ VGS = -2.5V, ID= -2.0A
这个都不能用。为什么?

我前段时间也做了这个电路，看你电路好像没看出啥问题啊，你的“DC-12V”是正的12V还是负的12V?

  这个电路没问题， DC-12V 是正的， 我主要是想问 那几个电阻以及MOS管的选型问题。
怎么能使功耗降低！

C31是一个自举电容，主要是和三极管控制mos管的电压的，着是电动车控制器的驱动部分，呵呵，小编小气的，只是给了这一小部分，我以前做过这个，呵呵

哈哈，我这个不是做电动车的！  DC-12V 是另外一个系统提供过来的电源。 我只是通过单片机输出一个PWM信号来控制这个 DC-12V 。

你是用PWM波控制开关的话是不是要求Q5 Q6有开关时间要求啊。还有，后面的电容是不是还可以加大一点呢?不是很懂

晓得了，开始没注意到你的输入是PWM，如果输入是PWM并且频率高了的话，就存在上升时间与下降时间的问题，你对晶体管进行了上拉（100K+10K），这么大的电阻值上拉如果频率稍高，Q6的集电极波形就不是你想要的波形（与单片机输出波形频率一致，或者说有足够的脉冲宽度）。你可以将那两个电阻（R9和R10）降低十倍看看（用示波器看看Q6集电极的波形），如果输出正常了，再仔细调节这两个电阻的阻值。应该就是这么回事了，呵呵

S8050的基极和发射极之间并上一个100K的电阻，看看有没有效果

跟我的差不多！

大家说说PMOS是从S流向D，还是从D流向S。

如果是PWM控值的，C27,Q5之间串一个电感再接负载吧，MOS会发烫的