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用MOS管设计的电源开关,各位帮忙检查一下有没有问题啊!有图~~~

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

这一种用两个NMOS管实现:


另外一种用NMOS和PMOS实现:


个人更倾向于NMOS管,它是多数载流子,比PMOS 开关速度快!各位大哥有什么建议没有?

用pmos管的电路,就像7楼说的,NMOS是需要Vgs>0,需要的驱动电压比较高,用起来比较麻烦,PMOS就简单了。只要将你上面的第二幅图,PMOS+NMOS的原理图里面的NMOS管Q3换成NPN三极管就行了,基极接R25,发射极接地。

Q3换成三极管吧,这里只是控制用的,用MOS比较浪费。
用NMOS的导通电阻小,工艺简单,成本比较低。

LZ要考虑你使用的电流大小,一般50mA以下被控制的功率管可以为sot23-3的,控制也为这个sot23-3,如果大于这个功率管在同样面积选择pmos功率管一般从2A-5A范围,控制管还是用三极管。

如果我把Q3换成NPN三极管,最上面的电路图整体行得通吗,请帮我看看原理对不对,急着画板子,谢谢~~!

从这个原理图上看,管子导通以后电流会比较小,SOT23—3应该可以满足要求!
你的意思是PMOS可以承受更大的电流对不对?

从这个原理图上看,管子导通以后电流会比较小,SOT23—3应该可以满足要求!
你的意思是PMOS可以承受更大的电流对不对?

这个电路只能用pmos,不能用nmos,在这个地方就像是H桥的高端驱动,用nmos的话,驱动电压必须大于被控电压2.5v左右才能让nmos很好的导通。要用nmos必须使用升压电路

9#正解,

pmos管的RDS会小一些,所以用pmos会更好

非常感谢,我居然忘了增强型要满足开启电压才能导通!

额。9楼是你自己啊

哈哈,好滴,现在全明白啦

小编第一个图中的Q4工作状态有问题吧!  NMOS还加一个电阻 R24不是就导通了吗

不好意思,我说的是8#

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