MOSFET导通时g极电流问题

MOSFET是电压控制型器件，大家一般都关注其导通时的门槛电压，不知道有没有大侠关注过MOSFET在导通的瞬间g极的电流的大小多少才合适?个人认为这个电流的大小应该对MOSFET的使用性能和寿命有所影响。哪位大侠进来指教指教啊！

大家来发表自己的看法呀！

没有人知道吗?

3# zhouweitf
这个电流是比较小的，一般10mA以内，MOS管主要是电压控制型的，所以通常这个G还会穿个电阻，来防止ESD。

我看大家一般都是串个100欧姆的电阻，这个电阻的大小是怎么选定的呢?

谢谢liqiangln 小编，再进来指教指教吧！

要不了10MA。几个UA就可以了。

一般推荐多大的电流呢?或者说一般推荐的限流电阻多大呢?有什么依据?

那得根据Datasheet上的Cgs这个电容来决定。

理论上是这样的，但是前段时间我给2N7002 gate用4.7k电阻上拉，只能拉到2.6v左右，后来没办法，只能用fpga的io来拉到3.3电源上，一直想不明白?！

电压驱动，就是说MOSFET的输入阻抗很大，才能得到更多的输入电压，你上拉4.7K，并且MOSFET的输入内阻也是K级的，说明你的4.7K得到很多电压，这就是你只能得到2.6V左右的原因。
FPGA的输出阻抗很低，一班就是20欧姆，说以G级可以到3.3V，一半窜10欧姆的就可以了。有的时候还会对地下拉一个10K的电组，是用来泄放电流的，在G级从高变低的时候（PWM是占空比）。

确实是这样的

我一帮用MCU隔离后放大驱动MOSFET

没看明白。4.7k拉到2.6V是什么意思? 2n7002的Vgs(th)电压较高3V左右。

MOS的GS电阻肯定不是K级的，如下Vishay 2n7002k 的GS端带TVS功能的 Igss电流才只有10uA，要是4.7K电阻分压较大，那么说明这个MOS的GS已经击穿坏掉了，2N7002是我碰到的ESD良率最低的MOS了