场效应管击穿问题

电路板刚开始用的三个2SK1020(功率300W，电流30A，耐压500V)并联。但运行过程会发热严重，在230V和300V的充电电压状态下，半年击穿了五六次管了，现在我们试着换其它型号的N沟道增强型的管子，试过FQA24N60，IPW65R110CFD,FCH04160F等功率的管子，都能正常使用，但我今天换了IXFH80N65X2(890W.80A,650V)开机出发俩次就击穿，换了三块电路板，试了三次，每次都这样，请问这样是什么原因导致的呢?

电路图

MOS管的驱动要与寄生电容相匹配。你对比使用过的几种MOS的规格书，看寄生电容的区别或许会找到答案。

大多数的情况下是因为驱动不足导致开关管发热，少数情况是过激励引起震荡导致发热。
最好有示波器看驱动波形和DS波形，更容易找到准确的原因。

不知散热方面小编处理好了吗?

这个没考虑过，我明天查查资料对比下。非常感谢提供方向。

换了大功率的管之后三个管一起工作几乎没啥热量，两个管稍微有点发热，很小，一个管也比2SK1020小。

谢谢提供方向，明天回办公室测。

感性负载断开时的要搞尖峰吸收

感觉小编再考虑一下驱动脉冲强度的方面

有时候买的管子质量也不好

haode,我对比了IXFH80N65X2的输出电容Coss有5010PF，其他的2SK1020才600-900，FQL40N50Coss最高880-1150.后面试用的几个管都是在2SK1020的驱动电路上试的，没有更改参数，如果我要继续试参数得怎么调节呢?请指点，谢谢了

haode,我对比了IXFH80N65X2的输出电容Coss有5010PF，其他的2SK1020才600-900，FQL40N50Coss最高880-1150.后面试用的几个管都是在2SK1020的驱动电路上试的，没有更改参数，如果我要继续试参数得怎么调节呢?请指点，谢谢了。测DS波形直接把接俩引脚上吗?

30以上的，原装。

那附近没有感性负载

小编不妨将全图上传看看

无回帖，不论坛

我印象中应该是要看Ciss。当然基本上Coss大的Ciss也大。
如果你一定要用上IXFH80N65X2，估计要加图腾柱驱动可以解决。
频率较高的电路中MOS的代换除了耐压电流之外，寄生电容和开关速度Ton和Toff也不能相差太多才可以直接代换。

听了大神你的指点，我今天用示波器对比了不同管子的输出波形，发现原配的2SK1020波形最平滑，。其他的数据差的越多震荡越厉害，明天还要继续调整参数，IXFH80N65X2太贵了，炸了三个心疼，明天开始先试FCH061N60F，调参数，看能不能把输出波形弄平滑了。但是FCH061N60F我用继电器放机上老化一个礼拜了，除了输出波形不平滑，使用倒是没什么区别。俩者参数差距也很大的，和2SK1020相比，（现在电路板的驱动电路参数就是按照2SK1020设置的）。

看看规格书    2个管子的   VGS你就能找到答案