关于mos隔离后上升沿问题

我在设计电路时，从fpga出来的方波波形是很好的，上升沿也是垂直上升的，但经过mos隔离后，上升沿时间变长不在垂直上升。现在想办法需要减少上升沿时间，我的解决方法是将d级上的上拉电阻减小，但在这里想问大家有没有更好的方法

电路

您好，学习一下，资料很好，谢谢了，我是初学者，想多学点知识。

说的不一定对 仅供参考  可以试试
1   R350  100R电阻减小 看下波形
2   R350上  并联一个二级管看下波形
但是R350 过大有损耗  过小 EMC影响所有建议你看下MOS管得资料看看吧  网上我看有利用二极管和三极管来提升上升沿速度的 你找找  

驱动电流不足。可以把MOS管换成NPN的试试。不然就要加多个NPN管做E输出的电流放大。

我有试过R350减小，但发现它对下降沿有影响，对上升沿影响不大

我有试过R350减小，但发现它对下降沿有影响，对上升沿影响不大

R350前 后波形一样么?MOS的开关时间多少，你的方波周期多少

我觉得应该减小R355，缩短G极放放电时间

再减小R350没有效果的情况下，可以考虑加个图腾柱增加驱动能力

R355加上，但是要比R350大许多，7倍以上的关系！

学习

可以在E350并联一个小电容