关于CMOS反相器保护电路

二极管正向导通压降是Vdf，当Vi>Vdd+Vdf时，D1导通，将T1，T2，栅极电位Vg钳在Vdd+Vdf，保证C2上的电压不超过Vdd+Vdf，这句话不是很清楚?自己的理解是Vi>Vdd+Vdf时，D1导通，c1和c2充电，而另一条回路是RS和c2对c2充电，但具体的有些不清楚诶，请大佬帮我分析一下。

这是保护电路，不要考虑充电问题，电容两端有压差就会充电的。这里主要是输入电压很高或者是负电压，大于VDD加二极管压降，二极管导通，使栅极电压不再上升或者下降，从而起到保护MOS管的效果。

请问一下那么没加输入电压之前栅极电压应该为VDD/2，输入电压大于VDD加二极管压降，那么C1上端电势为VDD，为什么说栅极电位Vg钳在Vdd+Vdf?具体不是很懂，希望大神能点拨一下

因为图上没标VDF，所以我认为它就是二极管的压降，C1上端是VDD，那么下端（也就是栅极）电位就是VDD+VDF了。