单片机IO接外部驱动电路默认电平设定

下图是以前工程师的电路， 产品量产正常，我现在想降成本，去掉电路如图2 ，请大家多给意见指点一下可行不?
产品是5号电池6V供电，产品对功耗要求十分严格，大部分时间处于睡眠，不明白之处是：每个接MCU_IO被控制
的外围驱动电路都要接下三极管的反相电路（此电路只是其中一小部分，其它还是多处是这样做的），并把IO上电
初始化，或程序睡眠时，此IO默认为高电平，这样做目的是什么，有什么作用， 1抗干扰能力强吗? 2此产品MCUIO
驱动能力是很强的，20MA没问题，所以这反相电路不会是前置驱动。

请问，MCU的供电电压是多少V，图2中 +3V 是从那里来的。
先说下你省掉这部分电路的可能作用：
1、降低待机功耗。【图2，待机时，MCUIO设置成浮空，，即可保证整个电路都是漏电流级别的损耗！ 而图1，经过你优化后的电路，待机状态，MCU IO要设置成低电平，而触发时需要设置成高电平，MOS管 10k下拉，因此MCUIO需要强上拉才行！所以待机时的低电平，MCU内部强上拉会产生额外的功耗】
2、提高和稳定电磁铁电路驱动能力。【因为是电池供电,我不确定你的+3V，以及MCU供电是否稳压电源供电，如果不是，必然存在Q5 控制电压随着电池电压而变化，意思就是电池电压波动导致了Vgs电压变动，从而影响到了Q5 的 开启状态，可能在特殊情况下，Q5不完全导通，因此有功耗损失在Q5上的情况。】

Q5的源极和GND之间最好加个小阻值电阻

D2为什么不换成一个大阻值电阻呢?降成本

你好，看了你的回答，我有两点不明白：
1、图2，我将IO设置成高电平，不也可以关闭Q4，即可保证整个电路都是漏电流级别的损耗吗?
2、图1，我将IO设置成浮空，也可以关闭那个MOS管，形成待机呀?
不明白这里浮空到底是高电平还是低电平，请指教，谢谢！

1、图2，我将IO设置成高电平，不也可以关闭Q4，即可保证整个电路都是漏电流级别的损耗吗?
----------是的，图2是 可以设置成高电平，前提是MCU是+3V 供电，我不了解你的+3V 和MCU供电的关系。这个很重要！
2、图1，我将IO设置成浮空，也可以关闭那个MOS管，形成待机呀?
----------一般MCU在初始化的时候会配置成PP或者OD模式， 配置成PP后软件设置是H电平或L电平，而对于配置成OD的，只能设置成开漏状态和低电平（需要外部上拉电阻才能输出高电平！）！