师傅说这是N-MOS驱动电路，R2和C19是软启动？求大神帮我分析分析（C18是5V10F的法拉电容）

１、+3.3VDC 电源上电，因C19初始端电压为零，上电瞬间及初期，Q1不具备导通条件，处于截止状态。
２、在Q1进入工作状态之前，电源通过D6和R3为C18进行限流充电。
３、随着电源通过R2对C19充电，其端电压逐渐抬高，Q1栅极电压跟着逐渐抬高，流经Q1的电流从无到有，逐渐增大，直到完全导通，几近将R3短路，为C18提供满负荷的充电电流。
４、C18被逐渐充满，Q1电流逐渐下降至接近零，且仍旧维持在完全导通状态，为C18的漏电不断补充充电（涓流充电）。
　　这就是为特大电容充电的软启动过程。
５、当有事故掉电时，C18担负对负载供电的职责。此时，Q1已经不导通了，R3又有较大阻值，是D7提供了供电通道，它很重要哦！

C18是防止事故掉电时，给CPU提供短暂的供电的。

假设初始为低电平，C19电压为0，给个高电平信号，由于C19的存在，MOS不会立即导通，因为电容电压不可突变，它会从0V按指数规律缓慢上升到3.3V，电容量越大上升越缓慢，相应的Mos管的变化是关断——>进入线性工作区（放大区）——>饱和区（完全导通），由于C19的存在，mos管会在线性区呆的时间比较长，这样就实现了软启动。没有c19的存在，导通时，mos管跨过线性区的时间非常短。Ids变化率很大。

这个4楼的解释非常到位 小编应该可以看到

4楼的解释不错         

R3的阻值10Ω，不大的，功率较大。C18的参数为5V10F的，那它的充电充满时间是不是T=RC=100s左右啊?

有点出入，R3阻值不大，是大功率器件

注意，R3 = 10欧姆，我说的是较大，是和直接连通（0欧姆）比较而言的！
这应该是可以看得懂的。

谢谢指导，C18放电时间是不是就是RC，大概多少秒呢?

好的好的，硬件小白，多谢指导