自制的场效应功放电路图

场效应管具有输入阻抗高、频率特性好、稳定性好(无二次击穿现象)、低噪声、低失真等特点，已被广泛地应用在音响电路中，用VMOS功率场效应管制成的功放，音色优美，音色比双极型晶体管功放暖，与电子管功放相似，失真小且制作容易，因此很受音响爱好者的喜爱。能拥有自制的高品质功放更是很多发烧友的梦想，因为自己动手制作功放
既可以学习技术，又可以根据自己的喜好制出适合自己品位的功放，实为一种乐趣和享受。下面介绍一款简洁易制的场效应管功放。

如图所示(图中只画出一个声道)。为减小失真，输入级采用差动放大电路。V1用对管2SC1583，稳定性和对称性好；V2接成恒流源，为本级提供稳定的静态工作
电流，采用恒流源作差动放大器的射极电阻，可提高差动放大器的共模抑制比和动态范围，从而进一步改善失真。c1为输入耦合电容，R1、c2构成低通滤波器，阻止前级的超音频干扰信号窜入功放；R2决定了功放的输入阻抗。合形式，是从成本上考虑的。若全用场效应管，效果更好。
各管的射(阴)极都加有本级电流负反馈电阻，起稳定静态工作点的作用。有利于改善失真。整机负反馈则由R18、R19、C6、C7组成，总增益约为26．8dB。C7是隔直电容，使前后级形成直流全负反馈，保证输出中点静态零电位。
c3、c6是为了抑制高频自激振荡而设置。放大器的电压增益大部分由V3获得，而c3可产生高频负反馈，降低放大器的高频增益，破坏高频自激的幅度条件。但c3又使高频相位
更加滞后，所以在反馈回路中加入C6，进行相位超前补偿，破坏高频自激的相位条件。
C5、R17组成相移校正电路，使负载近于纯电阻。防止高频自激。由于扬声器阻抗中的电感分量在高频时明显增加，使放大器的负载呈电感性，引起输电流滞后于输m电
压。若放大器的高频增益较高，还容易产生高频自激振荡。
R13、R14串接在栅极是防止VMOS管产生高频自激。由于栅极的高阻抗，加上接线及分布电容、电感和栅极分布电容的影响，VMOS管在工作中可会出现高频自激振荡。解决V3为第二级电压放大管，V5接成恒流源，为本级提供稳的静态工作电流和高的负载阻抗，由于V5的存在，v3的压增益大为提高，这样，就不必用自举电路。
V4、VR和R9接在V3、V5集电极之间构成Vbe扩大电，调节VR可改变末级大功率管的静态工作电流。V4还起度补偿作用，当功率管的温度升高时，V4的发射结压降小，于是V4的集电极一发射极电压也降低，从而降低了功管的静态电流，作用与二极管相似，但比二极管更灵，安装时应与功率管一起装在散热器上，电气上要绝。
V6一V9等组成输出级，采用双极型晶体管与场效应管混的办法是加入阻尼电阻，即在栅极串接一只电阻(一般不超过1kQ)。

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