关于H桥和IR2110
我以前搭过这个驱动电路，上臂mos不能正常工作,电源电压24v,但上臂mos栅极给12v，输出只有9v多。
因为，理想输出电压是24v。但当mos导通时，随着输出端由0v开始上升到9v多时，此时源极电压已经是9v多，而栅极为12v,输出电压不能再上升了，否则管子就截止了。除非将栅极电压上升到28v左右，才能将上臂mos完全导通。
你可以去ir官网查它的驱动资料，上面列举了其产品优势，其中有一条就是解决了这个问题，通过自举电容可以使电压达到28v，比系统的最高供电电压要高3v左右。
估计是用来隔离、保护等用途。直接驱动不能隔离，还要设计保护电路等。
来驱动全桥的上管
关键您的0-15v方波是用什么产生的?IR2110驱动器。它兼有光耦隔离和电磁隔离的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种，波形也非常标准。
0-15v无法直接驱动全桥上臂开关管，因为其源极电压为电源电压，栅源极电压无法达到开启电压。而驱动芯片中有自举电路，能将栅极电压升到超过电源电压，为系统最高电压。此时上臂开关管才能正常导通。
我的方波是由一个DC-DC转换器的电路产生的，我以为IR2110是为了保护H桥的电路
源极电压是电源电压我明白，为什么栅源极电压无法达到开启电压?如果我的电源电压是30V，要多少伏的栅源极电压?
隔离和保护具体点应该怎么说?
常见场效应管Vgs±20V，超过有可能损坏管子。如果驱动电压高则一定要加保护电路。
驱动是低压小电流，后级可能是高压大电流，为了前级安全，可以用光耦、变压器等方式隔离驱动。
隔离与保护都需要你来设计电路，专用驱动IC简化了电路设计，可靠性高、性能好。
我没看到你的具体电路，15V无需过压保护。要求不高时，用几个三极管搭个简单驱动电路就行。
补充：mos导通条件请查阅模电书籍。
电路图是这样子的吗?左边的HIN和LIN，还有右边的HO和LO分别是什么?
给小编两个电路参考： 场效应管电机驱动-MOS管H桥原理 http://www.dzkf.cn/html/zonghejishu/2010/0916/4017.html
关于直流电机 H 桥驱动方案的选择 http://www.embedream.com/bjzm/2009-03-09/76.html
在这个电路图上，如果Vcc和Vdd都是正的15V，那电源的负极要接在哪里?HIN如果输入0到+15V方波，HO输出应该是什么样的波形?
电源负极接在Vss引脚上；
HIN输入+15V方波时，HO输出+25V~+35V之间的方波
光耦隔离和电磁隔离的作用