关于mosfet的工作频率问题

毕设要求做一个脉冲发生器模拟局部放电
脉宽需要达到纳秒级别
我的想法是通过开关器件的高速开关来产生脉冲，然后用pwm芯片来控制开关管的导通
现在的问题是，纳秒级别，也就是100MHz左右的频率，用mosfet和基于dds芯片产生的pwm控制信号可以完成这样的频率要求吗?

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