现在TD-LTE中offet,hys,cio的缺省值

如题。
TD-LTE中配置offet,hys,cio的缺省值是多少，它们都是在邻区关系中配置的吗？

关于小区个性偏移（CIO）
最近在TD网优的时候碰到CIO这个参数，不甚了解，发现论坛里也没关于这个参数的帖子，经多方求教，找到了以下的资料，分享给大家参考，废话少说，马上进入正题：

参数名称	取值范围	物理单位	调整步长
CellIndOffset	-10~10	dB	0.5
缺省值	传送途径	作用范围	参数出处
0	RNC->UE	CELL	3GPP25331
设置途径
OMCR设置界面：NodeB小区配置>>服务小区其他参数信息>>小区个体偏移

参数功能描述
对每个被监视的小区，都用带内信令分配一个偏移。偏移可正可负。在UE评估是否一个事件已经发生之前，应将偏移加入到测量中，从而影响测量报告触发的条件。通过应用一个正的偏移，UE发送测量报告就如同P-CCPCH（TDD）比实际上要好xdB。相应地,也可对P-CCPCH（TDD）使用一个负的偏移。此时P-CCPCH（TDD）的报告被限制。UE从MEASUREMENT CONTROL消息的测量对象的IE "Cell info"中得到P-CPICH（FDD）/P-CCPCH（TDD）的小区单独偏移。对TD-SCDMA系统中，一个偏移加到P-CCPCH 2上，点线被用来评估是否P-CCPCH 2 变得好于PCCPCH1（由UTRAN命令），如下图：
需要注意的是必须先偏移然后再触发事件，即为了补偿应用于网络和用于实际切换估计的偏移，UE应在加上偏移之后评估是否需要发送一个测量报告。此外还需注意到，各个小区偏移并非用于所有的测量报告事件，并且在事件中并非以同一种方式进行应用。
参数调整影响
利用本参数，运营商可以获取一个手段，调整UE选择的小区。例如当一个小区由于街道拐角等原因，将存在一个质量的突变，这样就可以将小区的本参数设置为正值，增大UE选择本小区的几率。设置建议：一般不建议使用小区个性偏移；即使设置，偏移量不宜超过4dB。




目标小区RSCP-原小区RSCP+CIO(步长0.5dB)>迟滞,再经过TIMETOTRIG，UE才上报测量报告。所以CIO调整正值，向目标小区切块，调负值，向目标小区切慢。
CIO即小区个性偏移，触发1G事件的公式：目标小区场强+目标小区CIO-HYS>本小区场强+本小区CIO，此时触发1G事件。因此设定CIO应该看两个小区，即本小区和目标小区，不是简单只看一个小区就说加快还是减慢了切换满足的条件

偏置都是0，重选迟滞4dB

offet--默认为0HYS----必须携带，不可或缺
CIO--在LTE EVET AX,BX事件中，未看到此参数

offet=3小区级
hys=0小区级
cio=0邻区关系