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5G通信的触角: 毫米波MIMO天线开关

时间:06-06 来源:21ic电子网 点击:

带来的网络结构改变

当前的云计算的概念就是:数据在中心,终端通过基础设施在任何地点任何时间来获得数据与服务。但是考虑到5G网络中的一些应用关于小于1ms的延迟,这种结构不能满足需求。即使从现在到5G大规模应用的期间,计算设备和网络设备都继续以摩尔定理飞速发展。但是有一个极限目前没法跳过:就是光纤中光的传播速度。所以目前的研究结论是,如果要使5G网络中的<1ms延时成为现实,那么数据与用户的距离要小于1千米。也就是你的最近的一个基站需要缓存所要的数据与服务,这一特性使得此类应用的成本将非常高。而对于社交类的应用,关于用户数据的基站间漫游管理,目前的技术也需要根本性改变。拿着手机刷微博,那么经过的每个基站可能都需要同步一份个人资料、所有微博、评论、点赞,而不是在需要的时候找中心要数据。极端情况下所有的运营商都将共用一个网络,所有内容都在这个网络中,不然不能满足小于1ms的网络延迟要求。

5G系统中的核心器件:RF天线开关与其应用举例

如上述所言,载波聚合、波束形成、MIMO是5G射频系统中重要的技术。而这些技术的应用都离不开一个关键器件——RF天线开关。普通的开关用小按钮;稍稍高频(几十MHz,几百MHz)的开关用三极管、FET管搭建;如果频率到了几G几十G的范围,那么一般情况使用PIN二极管来做的开关。关于PIN二极管的详细在下文讨论,与普通开关类似,RF天线开关的种类也可以使用端子数目来分类:

图、天线开关的一些常见类型

此处列几个天线开关的应用实例以说明RF天线开关的一些应用。

手机终端的天线开关应用

下图是我们目前使用的手机中的RF天线开关,可以看出应用场合大致三种:主开关,3G/4G切换开关,接收器信号复用开关。

图、手机中的RF天线开关

载波聚合中的天线开关应用

图、载波聚合示意

波束形成技术中的天线开关应用

下图为复合使用了MIMO的波束形成技术的系统组成。

图、波束形成技术的系统组成

详细看,其中的天线开关应用如下:

图、波束形成技术中天线开关应用示例

高频天线开关市场上的主要厂家

业界称此市场为Monolithic Microwave ICs (MMIC)。目前市场上的产品按照工艺主要分为以下几类:

· GaAs 包括AlGaAs
· GaN 包括GaN-Si, GaN-SiC
· Si/SiGe 包括CMOS,LDMOS等
· 其他

重要的供应商如下:

· MACOM
· ON Semiconductor
· OMMIC
· Qorvo(由TriQuint与RF Micro Device合并而来)
· Analog Devices
· Infineon (包括收购的IR)
· WIN Semiconductors
· Murata
· Mitsubishi
· Keysight
· Microsemiconductor
· Qualcomm(包括收购的NXP /Freescale)
· Kyocera
· Toshiba

MACOM的毫米波天线开关新品MASW-011098

业界领先的无线射频厂商MACOM近日推出了用于5G系统的毫米波天线开关MASW-011098,这里对这个器件的应用与性能参数做一些简介。此器件使用AlGaAs工艺制造,在这里我们同时使用另外一个使用Si材料制作的类似产品(ADRF5020)做参数上的一些对比以展示两种材料的类似产品的参数的一些差别。下文以M器件与A器件分别指代以方便讨论。

M器件主要应用于26GHz-40GHz的频段,所以也称毫米波段射频开关或者Ka波段射频开关。根据MACOM的官方文档,此器件主要的目标应用领域为28GHz,37GHz 与39GHz 的5G射频系统。

A器件的功能类似,但是频率范围为100MHz-30GHz。这是由于材料工艺上的局限,Si材料的射频开关在工作频率上并不能覆盖目前所有5G所可能使用的频段。

首先看两者功能Block:

图、M器件功能Block

图、A器件功能Block

根据上图所示,M器件的基本功能就是一个射频开关。RFcommon为公共端,通过偏置控制脚来选择公共端的信号与RF1或者RF2连接。注意其中电阻电容均为等效电路,实际的器件为AlGaAs工艺的PIN二极管。

A器件与之类似,所不同的是由于使用CMOS工艺制作,可以通过CMOS/TTL信号直接控制。而M器件需要额外增加直流偏置的方式来控制。

两器件控制真值表:

图、MASW-011098真值表

图、A器件的控制真值表

两器件的基本参数如下:

下面着重看看两器件的几个重点参数曲线。

插入损耗(开启):

图、M器件的插入损耗

图、A器件的插入损耗

插入损耗是指器件在射频回路中对信号的损耗作用,此参数的绝对值越小越好。从上图可以看出此器件在22GHz至40GHz之间插入损耗稳定在-1dB左右。假设回路插入此器件之前的信号功率为PT,插入此器件之后的信号功率为PR,那么插入损耗的计算公式如下:

图、插入损耗公式

注意:有

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