| Booted from parallel flash 从flash中启动代码，此处的flash为并行闪存。Flash的分类列举如下： 闪存分三类：并行，串行，不可擦除。 ①并行Parallel flash NOR Flash，Intel于1988年发明．随机读取的速度比较快，随机按字节写，每次可以传输8Bit。一般适合应用于数据/程序的存贮应用中．NOR还可以片内执行(execute-in-place)XIP．写入和擦除速度很低。 NAND Flash，1989年，东芝公司发明．是以块和页为单位来读写的，不能随机访问某个指定的点.因而相对来说读取速度较慢，而擦除和写入的速度则比较快,每次可以传输16Bit,一般适用在大容量的多媒体应用中，容量大。如：CF，SM. ②串行Serial Flash 是以字节进行传输的，每次可以传输1-2Bit.如：MMC,SD,MS卡．串行闪存器件体积小，引脚也少，成本相对也更低廉。 ③不可擦除Mask Rom Flash的特点是一次性录入数据，具有不可更改性，经常运用于游戏和需版权保护文件等的录入。其显著特点是成本低。 注意：任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。 从上面的信息，我们可以对flash类型特点有个比较明确的了解。 | CPU clock rate: 200 MHz 开发板上所使用的CPU的主频为200MHZ． | DRAM size is 128MB (128MB/0MB) 动态内存ram大小为128M。这里我们列举一下内存的类型及工作原理。 根据内存的工作原理可以划分出两种内存：DRAM和SRAM ①DRAM表示动态随机存取存储器。这是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器。DRAM中的每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。数据存储在电容器中。电容器会由于漏电而导致电荷丢失，因而DRAM器件是不稳定的。为了将数据保存在存储器中，DRAM器件必须有规律地进行刷新。 ②SRAM是静态的，因此只要供电它就会保持一个值。一般而言，SRAM 比DRAM要快，这是因为SRAM没有刷新周期。每个SRAM存储单元由6个晶体管组成，而DRAM存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。相比而言，DRAM比SRAM每个存储单元的成本要高。照此推理，可以断定在给定的固定区域内DRAM的密度比SRAM 的密度要大。 SRAM常常用于高速缓冲存储器，因为它有更高的速率；而DRAM常常用于PC中的主存储器，因为其拥有更高的密度。 在嵌入式系统中使用DRAM内存的设计比较广泛。 地址辅助说明： | 先说明一下内存地址数字情况，主要是为了方便记忆。 可以访问的内存为4G。 0x40000000是1GB处；0x00040000是256K处，0x00020000是128K处，0x90000000是2GB多的地方。 1M->0x00100000, 2M->0x00200000, 8M->0x00800000 16M->0x01000000, 32M->0x02000000 256M->0x10000000 64K->0x00010000 4K->0x00001000 这个是个快速记忆的方法，你可以根据地址中1的位置和其后0的个数来快速知道换算后的地址是在多少兆的地方。比如，1的后面5个0，代表1M的大小，6个0，代表16M，以此类推。 | ROMFS found at 0x46040000, Volume name = rom 43f291aa romfs,只读文件系统所在的地址为：0x46040000 (flash映射后的第3分区)。 卷名为rom。 romfs和rootfs概念上有所区别。 flash在内存中的的起始地址为0x46000000,而ROMFS在flash分区上的起始位置为0x00040000，所以ROMFS在内存地址中的位置就为0x46040000。这个细节的部分可以参考flash分区时的地方，Creating 3 MTD partitions。 romfs中包括kernel和app应用，不包括bootloader和firmware信息头。romfs只读文件系统里的内容有很多种分类方法， | | | | | 