微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 硬件设计 > 嵌入式设计 > for循环编写延时函数的方法

for循环编写延时函数的方法

时间:01-21 来源:互联网 点击:

很多初学者对于程序中ms级延时函数的编写方法比较疑惑,其原理和方式虽然简单,但是却没有相关资料。这里用一个例程详细介绍一下。
过程参考如下:
在编译器下建立一个新项目,也可以利用已有项目。此过程中需要注意,单片机晶振的选择,因为for循环里指令的执行时间和晶振有直接关系,本例中晶振使用11.0592M。



编写一段关于延时的函数,主要利用for循环,代码如下:
void delay_ms(unsigned int ms)
{
unsigned int i;
unsigned char j;
for(i=0;ims;i++)
{
for(j=0;j200;j++);
for(j=0;j102;j++);
}

}
其中ms是输入参数,如果输入1,就是要求程序延时1ms。
j变量是调整程序运行的时间参数。调整j的数值,使1次循环的时间在1ms。
将此程序编译通过,然后利用软件仿真,调整时间。


两次时间差就是延时函数使用的时间,如果与1ms相差比较多,用户可以调整j参数的值,使延时时间尽量接近1ms。如增大j的值for(j=0;j105;j++);
此方法得出延时函数,在晶振不同的情况下,延时时间会不准。另外这种方法不是完全精确的延时,所以不要太深研究误差的问题。软件调试结果,这个程序的延时时间为:1.01779ms,一般的单片机系统中都可以应用。
本文来自电子工程师之家:http://www.eehome.cn/read.php?tid=8882

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top