基于单片机的系统外扩展的存贮器

一、实验目的
1、学习片外存贮器扩展方法。
2、学习数据存贮器不同的读写方法。
3、学习片外程序存贮器的读方法。
二、实验内容
1.实验原理图：

2、实验内容
（1）使用一片2764EPROM，作为片外扩展的程序存贮器，对其进行读。
（2）使用一片6264RAM，作为片外扩展的数据存贮器，对其进行读写(使用键盘监控命令和程序运行两种方法)。
3、实验说明
（1）在使用键盘监控命令读片外扩展的程序存贮器2764中内容时，由于本系统中该程序存贮器作为用户目标系统的程序存贮器，因此DVCC系统必须处于仿真2状态，即“H.....”态，用MEM键即可读出。
（2）在使用键盘监控命令读写片外扩展的数据存贮器6264中的内容时，由于本系统中该数据存贮器作为用户目标系统的数据存贮器，因此DVCC系统处于仿真1态(“P.....”态)或仿真2态(“H.....”态)，用ODRW键即可读写。
（3）读写数据的选用。
本实验采用的是55H(0101，0101)与AAH(1010，1010)，一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等，在实验调试用户电路时非常有效。
（4）在仿真1态即“P.....”状态下，编写程序对片外扩展的数据存贮器进行读写，若L1灯闪动说明RAM读写正常。
三、程序
程序清单：
ORG 0C80H
MOV DPTR,#8000H
MOV R6,#0FH
MOV A,#55H
RAM1: MOV R7,#0FFH
RAM2: MOVX @DPTR,A
CLR P1.0
INC DPTR
DJNZ R7,RAM2
DJNZ R6,RAM1
MOV DPTR,#8000H
MOV R6,#0FH
RAM3: MOV R7,#0FFH
RAM4: MOVX A,@DPTR
CJNE A,#55H,RAM6
SETB P1.0
INC DPTR
DJNZ R7,RAM4
DJNZ R6,RAM3
RAM5: CLR P1.0
CALL DELAY
SETB P1.0
CALL DELAY
SJMP RAM5
DELAY: MOV R5,#0FFH
DELAY1: MOV R4,#0FFH
DJNZ R4,$
DJNZ R5,DELAY1
RET
RAM6: SETB P1.0
SJMP RAM6
END
四、实验步骤
1、片外扩展程序存贮器的读。
(1)将RAM/EPROM区的D0—D7用排线连到BUS2区XD0—XD7，同样用排线将A0—A7连到BUS1区XA0—XA7，A8—A12连到BUS3区XA8—XA12。
(2)PGM插孔连到+5V插孔。
(3)CS1插孔连到译码输出Y0插孔。
(4)OE插孔连到BUS3区XPSEN插孔。
(5)在DVCC系统处于“P?”状态下，按F1键进入仿真2态(“H.....”状态)。
(6)输入四位程序存贮器地址8000后按MEM键读出2764中的内容。
2、片外扩展数据存贮器的读写(用键盘监控命令)
(1)取出RAM/EPROM区中的实验监控，再插上数据存贮器6264。
(2)将RAM/EPROM区的D0—D7用排线连到BUS1区XD0—XD7，A0—A7连到BUS1区XA0—XA7，A8—A12连到BUS3区XA8—XA12。
(3)WE插孔与BUS3区XWR相连。
(4)CS1插孔连到译码输出Y0插孔。
(5)OE插孔连到BUS3区XRD插孔。
(6)CS2插孔与+5V插孔相连。
(7)在DVCC系统处于“P?”状态下，按F2键进入仿真1态(即“P.....”)或按F1键进入仿真1态(即“P.....”)。
(8)输入四位地址8000后按ODRW键可读写6264中的内容。
3、片外数据存贮器的读写(用程序)
步骤同上①—⑥。
(7)按框图编制程序，在上位机上进行编译，链接形成Hex(或ABS)最终目标文件，然后传送到DVCC实验系统仿真RAM区中。
(8)在“P?”状态下，按F2键，进入仿真1态(“P.....”)，从起始地址0C80H开始连续运行程序。对6264进行读写。若L1灯闪动，表示6264 RAM读写正常。