采样电路PWM驱动电路
时间:10-19
来源:互联网
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电力MOSFET驱动功率小,采用三极管驱动即可满足要求,驱动电路如图4所示。
由于单片机为弱电系统,为保证安全需要与强电侧隔离,防止强电侧的电压回流,烧坏MSP430,先用开关光耦进行光电隔离,再经三极管到MOSFET的驱动电路IR210l。MSP430产生的PWM波,经过光耦及后面的IR2101芯片,在芯片的5管脚输出的PWM波接到MOS—FET的门极G端,使其工作。IR2101是专门用来驱动耐高压高频率的N沟道MOSFET和IGBT的。它是一个8管脚的芯片,其具有高低侧的输出参考电平。门极提供的电压范围是10~20 V。
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