微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 硬件设计 > 嵌入式设计 > 如何保护RS-485通信网络不受有害EMC影响

如何保护RS-485通信网络不受有害EMC影响

时间:11-30 来源:互联网 点击:

元件,如电阻或非线性过流保护器件等,用以确保二者协同应对瞬变。

  

  图5. 保护方案框图

  RS-485瞬变抑制网络

  就特性而言,EMC瞬态事件在时间上会有变化,因此保护元件必须具有动态性能,而且其动态特性需要与受保护器件的输入/输出极相匹配,这样才能实现成功的EMC设计。器件数据手册一般只包含直流数据,由于动态击穿和I/V特性可能与直流值存在很大差异,因此这些数据没有太多价值。必须进行精心设计并确定特性,了解受保护器件的输入/输出级的动态性能,并且使用保护元件,才能确保电路达到EMC标准。

图6所示电路显示了三种不同的完整的EMC兼容解决方案。每个解决方案都经过独立外部EMC兼容性测试公司的认证,各方案使用精选的Bourns外部电路保护元件,针对ADI公司具有增强ESD保护性能的ADM3485E 3.3 V RS-485收发器提供不同的成本/保护级别。所用的Bourns外部电路保护元件包括瞬态电压抑制器(CDSOT23-SM712)、瞬态闭锁单元(TBU-CA065-200-WH)、晶闸管电涌保护器(TISP4240M3BJR-S)和气体放电管(2038-15-SM-RPLF)。

  每种解决方案都经过特性测试,确保保护元件的动态I/V性能可以保护ADM3485E RS-485总线引脚的动态I/V特性,使得ADM3485E输入/输出级与外部保护元件协同防范瞬变事件。

  

  图6. 三个EMC兼容ADM3485E电路

  保护方案1

  前面说过,EFT和ESD瞬变具有相似的能量水平,而电涌波形的能量水平则高出三到四个数量级。针对ESD和EFT的保护可通过相似方式实现,但针对高电涌级别的保护解决方案则更为复杂。第一个解决方案提供四级ESD和EFT保护及二级电涌保护。本文描述的所有电涌测试都使用1.2/50 μs波形。

  此解决方案使用Bourns公司的CDSOT23-SM712瞬变电压抑制器 http://www.eet-china.com/ART_8800678021_628868_NP_6cfb1c9e.HTM>(TVS)阵列,它包括两个双向TVS二极管,非常适合保护RS-485系统,过应力极小,同时支持RS-485收发器上的全范围RS-485信号和共模偏移(-7 V至+12 V)。表1显示针对ESD、EFT和电涌瞬变的电压保护级别。

  

  表1. 解决方案1保护级别

  TVS是基于硅的器件。在正常工作条件下,TVS具有很高的对地阻抗;理想情况下它是开路。保护方法是将瞬态导致的过压箝位到电压限值。这是通过PN结的低阻抗雪崩击穿实现的。当产生大于TVS的击穿电压的瞬态电压时,TVS会将瞬态箝位到小于保护器件的击穿电压的预定水平。瞬变立即受到箝位( 1 ns),瞬态电流从受保护器件转移至地。

  重要的是要确保TVS的击穿电压在受保护引脚的正常工作范围之外。CDSOT23-SM712的独有特性是具有+13.3 V和-7.5 V的非对称击穿电压,与+12 V至-7 V的收发器共模范围相匹配,从而提供最佳保护,同时最大程度减小对ADM3485E RS-485收发器的过压应力。

  图7. CDSOT23-SM712 I/V特性(8 kV)

  保护方案2

  上一解决方案可提供最高四级ESD和EFT保护,但只能提供二级电涌保护。为了提高电涌保护级别,保护电路变得更加复杂。以下保护方案可以提供最高四级电涌保护。

  CDSOT23-SM712专门针对RS-485数据端口设计。以下两个电路基于CDSOT23-SM712构建,提供更高级别的电路保护。CDSOT23-SM712提供次级保护,而TISP4240M3BJR-S提供主保护。主从保护器件与过流保护之间的协调通过TBU-CA065-200-WH完成。表2显示使用此保护电路的ESD、EFT和电涌瞬变保护电压级别。

  

  表2. 解决方案2保护级别(8 kV)

  当瞬变能量施加于保护电路时,TVS将会击穿,通过提供低阻抗的接地路径来保护器件。由于电压和电流较高,还必须通过限制通过的电流来保护TVS.这可采用瞬态闭锁单元(TBU)实现,它是一个主动高速过流保护元件。此解决方案中的TBU是Bourns TBU-CA065-200-WH.

  TBU可阻挡电流,而不是将其分流至地。作为串联元件,它会对通过器件的电流做出反应,而不是对接口两端的电压做出反应。TBU是一个高速过流保护元件,具有预设电流限值和耐高压能力。当发生过流,TVS由于瞬态事件击穿时,TBU中的电流将升至器件设置的限流水平。此时,TBU会在不足1 μs时间内将受保护电路与电涌断开。在瞬变的剩余时间内,TBU保持在受保护阻隔状态,只有极小的电流(1 mA)通过受保护电路。在正常工作条件下,TBU具有低阻抗,因此它对正常电路工作的影响很小。在阻隔模式下,它具有很高的阻抗以阻隔瞬变能量。在瞬态事件后,TBU自动复位至低阻抗状态,允许系统恢复正常工作。

与所有过流保护技术相同,TBU具有最大击穿电压,因此主保护器件必须箝位电压,并将瞬变能量重新引导至地。这通常使用气体放电管或固态晶闸管等技术实现,例如完全集成电涌保护器(T

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top