LSI SandForce揭幕SHIELD闪存纠错技术

LSI SandForce详细介绍了其下一代固态硬盘(SSD)控制器内置的全新纠错方法，称为SHIELD。SandForce在在加利福尼亚州圣克拉拉召开的Flash Memory Summit峰会上披露了这项全新的SHIELD技术，旨在延长由更小的光刻工艺构建的NAND闪存的寿命。

像其他芯片一样，闪速存储器(Flash Memory)也不断地缩小尺寸，以降低制造成本和功耗。虽然这种尺寸减小对存储器的每GB成本有积极的影响，但也使得NAND更容易产生误差。

LSI SandForce的开发SHIELD就是要解决这些问题，通过多层次的纠错。第一个纠错阶段，是“硬”低密度奇偶校验，或称HLDPC(hard low-density parity check)，适用于读请求。HLDPC的低开销，并不影响性能，但还不足以全面捕捉所有的错误。

通过HLDPC的错误，由五个等级的“软”奇偶校验(SLDPC，soft parity checks. SLDPC)层处理。SLDPC层采用先进的噪声处理和信号处理进行纠错，每层逐步增加更多的延迟。

SHIELD只在驱动器认为有必要时介入，并确定使用合适的纠错等级，基于一些LSI尚未披露的参数。如果错误继续通过五层SLDPC蔓延，SHIELD还有最后一层，叫做RAISE。

RAISE操作类似RAID的冗余方案，类似于目前的SandForce控制器利用的，但增加了10毫秒的延迟。LSI表示，这最后一级纠错只在必要时谨慎使用，因为需要额外的处理时间。

根据技术报告，新的芯片将在2013年第三季度被送往厂家进行采样，所以，配备SHIELD的LSI SandForce新芯片可能会在2013年底上市。