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C8051F单片机使用注意事项

时间:11-09 来源:互联网 点击:
每个I/O 拉电流50mA灌电流100mA 总电流800mA

一、电源和地线方面的处理
1、模拟电源和数字电源要分别供电,可以使用两个稳压源分别供电,但是两个电源之间的电压差必须满足数据手册中的规定(<0.5V,小于0.3V是比较理想的)。实际应用中模拟电源和数字电源可以来自同一个稳压器的输出,只在AV+与VDD之间接简单的滤波器也是很有效的。这里要加一个小电感,也可以用低阻值的电阻(通常2欧姆,电阻要有足够的寄生电感。)这种方式既能降低成本又能减少体积。(关于这一点可以参考C8051F各种目标板的原理图的电源部分)。
2、在地线方面,模拟地和数字地要分开布线,然后在一点通过磁珠连接,在实际应用中也可以使用0欧姆绕线电阻连接的。该绕线电阻要有寄生电感,另外,在布线时一定要注意地线应该尽可能的粗,或者采用大面积覆地,电源线也要尽量粗,并且在单片机所有电源和地之间以及每个外围集成电路的VDD和GND间加去耦合电容。
3、如果所使用的器件上有模拟电源,模拟地,数字电源和数字地,所有这些引脚不可以悬空,必须连接。

二、在严酷环境下使用C8051F器件时,在PCB设计时应注意那些问题?
在严酷条件下使用C8051F器件时,我们提供给您的一般性建议如下:
1)在器件的每个电源引脚处放置0.1μF和1.0μF的去耦电容,而且要尽可能地靠近芯片。这一点适用于板上所有的IC(集成电路)。*
2)尽可能将板上不使用的空间接地,即所谓的大面积覆铜。
3)在靠近器件外部振荡器引脚处放置外部晶体和其他振荡器元件(如果可行的话)。
4)使用最短的连线以避免产生“天线”,尤其在下列引脚处:/RST,MONEN,XTAL1,XTAL2,TMS,TCK,TDI和TDO。
5)应使用一个1k - 4.7k的电阻将/RST拉为高电平。且应该在/RST走线和地之间设一个0.1uF的去耦电容*
6)应将MONEN直接接至片上的VDD (首选)或接地。*
7)将TMS、TCK、TDI和接固定电平。*
8)连接至系统电缆或其他电路板上的信号应在PCB的连接点处适当地滤波。
* 避免使这些连接在板上形成大的回路。

三、对JTAG引脚的处理
电路设计时,JTAG口的TCK要加3.3V上拉。上拉电阻值取4.7K。另外,要考虑到在成品阶段(此时已不需要通过JTAG编程),将TCK.TMS.TDI引脚接地,这样更能提高系统的抗干扰能力,对于提高系统的稳定性是非常主要的。

四、对未用到的IO口/模拟输入口的处理
对未用到的IO口建议:设置为漏极开路;并加固定电平;或设置为推挽方式;未用的模拟输入也要接地(接模拟地)。

五、在电路设计时的IO口/模拟输入口的保护
1、在可能对IO口有瞬态冲击的情况下,一定要对IO口进行保护,如可能会有瞬间大电流,就要在IO口上串接限流电阻,建议取值100欧姆。如有瞬态大电压,就要在IO口上接TVS或快速反应二极管。
2、对在产品中使用的模拟输入引脚的输入电平,要在器件的允许范围值内(具体的参数见数据手册)。一般的ADC的输入电压范围是0V~VREF。同时不可以超过器件的极限参数(见数据手册),否则可能造成永久性损坏。具体的做法可以加两个肖特基二极管到电源和地。
3.IO口控制的东西一定要加锁存器,否则复位后,IO口会恢复高电平

六、编写软件方面的注意事项

1、如使用C51编程,在使用指针变量(对FLASH进行写操作)按如下方式定义:
unsigned char xdata *idata(或data) pwrite;
这样做的目的是确保写FLASH的指针的地址被分配在空间。
2、不用的代码空间全部清为“0”,这可以在程序跑飞后再重新运行。在跳转指令前加两到三个NOP指令。这样也可以在程序跑飞后重新运行。

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