读命令有两个，分别是Read1,Read2其中Read1用于读取DataField的数据，而Read2则是用于读取SpareField的数据。对于NandFlash来说，读操作的最小操作单位为Page，也就是说当我们给定了读取的起始位置后，读操作将从该位置开始，连续读取到本Page的最后一个Byte为止（可以包括SpareField）
NandFlash的寻址
NandFlash的地址寄存器把一个完整的NandFlash地址分解成ColumnAddress与PageAddress.进行寻址。
ColumnAddress:列地址。ColumnAddress其实就是指定Page上的某个Byte，指定这个Byte其实也就是指定此页的读写起始地址。
PaageAddress：页地址。由于页地址总是以512Bytes对齐的，所以它的低9位总是0。确定读写操作是在Flash上的哪个页进行的。
Read1命令
当我们得到一个NandFlash地址addr时我们可以这样分解出ColumnAddress和PageAddress
column_addr=src_addrQ2;//columnaddress
page_address=(src_addr>>9);//pageaddress
也可以这么认为，一个NandFlash地址的src_addr[7,0]是它的column_addr，addr[25,9]是它的PageAddress。(注意地址位src_addr[8]并没有出现，也就是addr[8]被忽略，在下面你将了解到这是什么原因)
Read1命令的操作发送完读命令00h或01h（00h与01h的区别请见下文描述）之后将分4个Cycle发送参数，1st.Cycle是发送ColumnAddress。2nd.Cycle,3rd.Cycle和4th.Cycle则是指定PageAddress（每次向地址寄存器发送的数据只能是8位，所以17位的PageAddress必须分成3次进行发送。
Read1的命令里面出现了两个命令选项，分别是00h和01h。这里出现了两个读命是否令你意识到什么呢？是的，00h是用于读写1sthalf的命令，而01h是用于读取2ndhalf的命令。现在我可以结合上图给你说明为什么K9F1208U0B的DataField被分为2个half了。
如上文我所提及的，Read1的1st.Cycle是发送ColumnAddress，假设我现在指定的ColumnAddress是0，那么读操作将从此页的第0号Byte开始一直读取到此页的最后一个Byte(包括SpareField)，如果我指定的ColumnAddress是127，情况也与前面一样，但不知道你发现没有，用于传递ColumnAddress的数据线有8条（I/O0-I/O7，对应addr[7,0]，这也是addr[8]为什么不出现在我们传递的地址位中），也就是说我们能够指定的ColumnAddress范围为0-255，但不要忘了，1个Page的DataField是由512个Byte组成的，假设现在我要指定读命令从第256个字节处开始读取此页，那将会发生什么情景？我必须把ColumnAddress设置为256，但ColumnAddress最大只能是255，这就造成数据溢出。正是因为这个原因我们才把DataField分为两个半区，当要读取的起始地址（ColumnAddress）在0-255内时我们用00h命令，当读取的起始地址是在256-511时，则使用01h命令.假设现在我要指定从第256个byte开始读取此页，那么我将这样发送命令串。
column_addr=256;
NF_CMD=0x01;从2ndhalf开始读取
NF_ADDR=column_addr&0xff;1stCycle
NF_ADDR=page_address&0xff;2nd.Cycle
NF_ADDR=(page_address>>8)&0xff;3rd.Cycle
NF_ADDR=(page_address>>16)&0xff;4th.Cycle
NF_CMD=0x30;
事实上，当NF_CMD=0x01时，NANDFlash地址寄存器中的第8位（A8）将被设置为1（如上文分析，A8位不在我们传递的地址中，这个位其实就是硬件电路根据01h或是00h这两个命令来置高位或是置低位），这样我们传递column_addr的值256随然由于数据溢出变为1，但A8位已经由于NF_CMD=0x01的关系被置为1了。这8个位所表示的正好是256，这样读操作将从此页的第256号byte（2ndhalf的第0号byte）开始读取数据。
在对NANDFlash进行任何操作之前，NANDFlash必须被初始化。向NandFlash的命令寄存器和地址寄存器发送完以上命令和参数之后,我们就可以从rNFDATA寄存器(NandFlash数据寄存器)读取数据了.
我用下面的代码进行数据的读取.
for(i=column_addr;i<512;i++)
{
*buf++=NF_RDDATA();
}
每当读取完一个Page之后,数据指针会落在下一个Page的0号Column(0号Byte).
存储操作特点：
1.擦除操作的最小单位是块。
2.NandFlash芯片每一位(bit)只能从1变为0，而不能从0变为1，所以在对其进行写入操作之前要一定将相应块擦除(擦除即是将相应块得位全部变为1).
3.OOB部分的第六字节(即517字节)标志是否是坏块，如果不是坏块该值为FF，否则为坏块。
4.除OOB第六字节外，通常至少把OOB的前3个字节存放NandFlash硬件ECC码(关于硬件ECC码请参看Nandflash控制器一节).
重要芯片引脚功能
I/O0-I/O7：复用引脚。可以通过它向nandflash芯片输入数据、地址、nandflash命令以及输出数据和操作状态信息。
CLE(CommandLatchEnable):命令锁存允许
ALE(AddressLactchEnable):地址锁存允许
-CE:芯片选择
-RE:读允许
-WE:写允许
-WP:在写或擦除期间，提供写保护
R/-B:读/忙输出
