S3C2440的SDRAM驱动　

容量，根据每个开发板生产商不同而不同，比如MINI2440开发板将2M的Norflash焊接在了Bank0上，用于存放系统引导程序Bootloader，将两片32M，16Bit位宽SDRAM内存焊接在Bank6和Bank7上，并联形成64M，32位内存。

由于S3C2440是32位芯片，理论上讲可以达到4GB的寻址范围，除去上述8个BANK用于连接外部设备，还有一部分的地址空间是用于设备特殊功能寄存器，其余地址没有被使用。

表2-14 S3C2440设备寄存器地址空间

1.1.2SDRAM内存工作原理

SDRAM的内部是一个存储阵列。阵列就如同表格一样，将数据“填”进去。在数据读写时和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），我们就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理，如图2-49所示。

图2-49内存行，列地址寻址示意图

这个单元格（存储阵列）就叫逻辑Bank（Logical Bank，下文简称L-Bank）。由于技术、成本等原因，不可能只做一个全容量的L-Bank，而且最重要的是，由于SDRAM的工作原理限制，单一的L-Ban k将会造成非常严重的寻址冲突，大幅降低内存效率。所以人们在SDRAM内部分割成多个L-Bank，目前基本都是4个（这也是SDRAM规范中的最高L-Bank数量），由此可见，在进行寻址时就要先确定是哪个L-Bank，然后在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。因此对内存的访问，一次只能是一个L-Bank工作。如图2-50：

图2-50内存存储单元

当对内存进行操作时（见下图），先要确定操作L-Bank，因此要对L-Bank进行选择。在内存芯片的外部管脚上多出了两个管脚BA0, BA1，用来片选4个L-Bank。如前所述，32位的地址长度由于其存储结构特点，分成了行地址和列地址。通过下面的内存结构图可知，内存外接管脚地址线只有13根地址线A0~A12，它最多只能寻址8M内存空间，到底使用什么机制来实现对64M内存空间进行寻址的呢？SDRAM的行地址线和列地址线是分时复用的，即地址要分两次送出，先送出行地址（nSRAS行有效操作），再送出列地址（nSCAS列有效操作）。这样，可以大幅度减少地址线的数目，提高器件的性能和制作工艺复杂度。但寻址过程也会因此而变得复杂。实际上，现在的SDRAM一般都以L-Bank为基本寻址对象的。由L-Bank地址线BAn控制L-Bank间的选择，行地址线和列地址线贯穿连接所有的L-Bank，每个L-Bank的数据的宽度和整个存储器的宽度相同，这样，可以加快数据的存储速度。同时，BAn还可以使未被选中的L-Bank工作于低功耗的模式下，从而降低器件的功耗。

图2-51 HY57561620内部结构图

开发板内存控制器管脚接线（以MINI2440开发板为例）：

（1）确定BA0、BA1的接线

表2-15 BA0、BA1接线

Bank Size:外接内存容量大小（HY57561620是4Mbit*16bit*4Bank*2Chips/8=64MB）

Bus Width:总线宽度 （两片16位HY57561620，并联成32位）
Base Component：单个芯片容量(bit)（256Mb）
Memory Configration：内存配置(（4M*16*4banks）*2Chips )

由硬件手册Bank Address管脚连接配置表可知，使用A[25:24]两根地址线作为Bank片选信号，正好两根接线可以片选每个存储单元的4个BANKS。

（2）确定其它接线

SDRAM内存是焊接在BANK6~BANK7上的，其焊接管脚，如图2-52：

图2-52 S3C2440 16位宽内存芯片

上图是S3C2440提供的两片16位芯片并联连接示意图，An是CPU地址总线，其中A2~A14为内存芯片寻址总线，之所以地址寻址总线从A2开始是因为内存地址都是按字节对齐的，，A24，A25为L-Bank片选信号，Dn为CPU数据总线，其它为对应控制信号线。

表2-16内存芯片各管脚说明