存储、NAND FLASH控制器实验(S3C2410)
时间:11-11
来源:互联网
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本实验介绍如何使用SDRAM,这需要设置13个寄存器。呵呵,别担心,这些寄存器很多是类似的,并且由于我们只使用了BANK6,大部分的寄存器我们不必理会:
1.BWSCON:对应BANK0-BANK7,每BANK使用4位。这4位分别表示:
a.STx:启动/禁止SDRAM的数据掩码引脚,对于SDRAM,此位为0;对于SRAM,此位为1。
b.WSx:是否使用存储器的WAIT信号,通常设为0
c.DWx:使用两位来设置存储器的位宽:00-8位,01-16位,10-32位,11-保留。
d.比较特殊的是BANK0对应的4位,它们由硬件跳线决定,只读。
对于本开发板,使用两片容量为32Mbyte、位宽为16的SDRAM组成容量为64Mbyte、位宽为32的存储器,所以其BWSCON相应位为:0010。对于本开发板,BWSCON可设为0x22111110:其实我们只需要将BANK6对应的4位设为0010即可,其它的是什么值没什么影响,这个值是参考手册上给出的。
2.BANKCON0-BANKCON5:我们没用到,使用默认值0x00000700即可
3.BANKCON6-BANKCON7:设为0x00018005
在8个BANK中,只有BANK6和BANK7可以使用SRAM或SDRAM,所以BANKCON6-7与BANKCON0-5有点不同:
a.MT([16:15]):用于设置本BANK外接的是SRAM还是SDRAM:SRAM-0b00,SDRAM-0b11
b.当MT=0b11时,还需要设置两个参数:
Trcd([3:2 R A S to CAS delay,设为推荐值0b01
SCAN([1:0]):SDRAM的列地址位数, 对于本开发板使用的SDRAM HY57V561620CT-H,列地址位数为9,所以SCAN=0b01。如果使用其他型号的SDRAM,您需要查看它的数据手册来决定SCAN的取值:00-8位,01-9位,10-10位
4.REFRESH(SDRAM refresh control register):设为0x008e0000+ R_CNT其中R_CNT用于控制SDRAM的刷新周期,占用REFRESH寄存器的[10:0]位,它的取值可如下计算(SDRAM时钟频率就是HCLK):
R_CNT = 2^11 + 1 – SDRAM时钟频率(MHz) *SDRAM刷新周期(uS)
在未使用PLL时,SDRAM 时钟频率等于晶振频率12MHz;SDRAM的刷新周期在SDRAM的数据手册上有标明,在本开发板使用的SDRAM HY57V561620CT-H的数据手册上,可看见这么一行“8192 refresh cycles /64ms”:所以,刷新周期=64ms/8192 = 7.8125 uS。
对于本实验,R_CNT = 2^11 + 1 – 12 * 7.8125 =1955,
REFRESH=0x008e0000 + 1955 = 0x008e07a3
5.BANKSIZE:0x000000b2
位[7]=1:Enable burst operation
位[5]=1:SDRAM power down mode enable
位[4]=1:SCLK is active only during the access(recommended)
位[2:1]=010:BANK6、BANK7对应的地址空间与BANK0-5不同。BANK0-5的地址空间都是固定的128M,地址范围是(x*128M)到(x+1)*128M-1,x表示0到5。但是BANK7的起始地址是可变的,您可以从S3C2410数据手册第5章“Table5-1.Bank6/7 Addresses”中了解到BANK6、7的地址范围与地址空间的关系。本开发板仅使用BANK6的64M空间,我们可以令位[2:1]=010(128M/128M)或001(64M/64M):这没关系,多出来的空间程序会检测出来,不会发生使用不存在的内存的情况——后面介绍到的bootloader和linux内核都会作内存检测。
位[6]、位[3]没有使用
6.MRSRB6、MRSRB7:0x00000030
能让我们修改的只有位[6:4](CL),SDRAM HY57V561620CT-H不支持CL=1的情况,所以位[6:4]取值为010(CL=2)或011(CL=3)。
只要我们设置好了上述13个寄存器,往后SDRAM的使用就很简单了。本实验先使用汇编语言设置好SDRAM,然后把程序本身从Steppingstone(还记得吗?本节开始的时候提到过,复位之后NAND
Flash开头的4k代码会被自动地复制到这里)复制到SDRAM处,然后跳到SDRAM中执行。
本实验源代码在SDRAM目录中,
head.s开头的代码如下:
1 bl disable_watch_dog
2 bl memsetup
3 bl copy_steppingstone_to_sdram
4 ldr pc, =set_sp @跳到SDRAM中继续执行
5 set_sp:
6 ldr sp, =0x34000000 @设置堆栈
7 bl main @跳转到C程序main函数
8 halt_loop:
9 b halt_loop
为了让程序结构简单一点,我都使用函数调用的方式。第一条指令是禁止WATCH DOG,往WTCON寄存器(地址0x53000000)写入0即可禁止WATCH DOG。第二条指令设置本节开头所描述的13个寄存器,以便使用SDRAM。往下程序做的事情就是:将Steppingstone中的代码复制到SDRAM中(起始地址为 0x30000000),然后向pc寄存器直接赋值跳到SDRAM中执行下一条指令“ldr sp, =0x34000000”。
1.BWSCON:对应BANK0-BANK7,每BANK使用4位。这4位分别表示:
a.STx:启动/禁止SDRAM的数据掩码引脚,对于SDRAM,此位为0;对于SRAM,此位为1。
b.WSx:是否使用存储器的WAIT信号,通常设为0
c.DWx:使用两位来设置存储器的位宽:00-8位,01-16位,10-32位,11-保留。
d.比较特殊的是BANK0对应的4位,它们由硬件跳线决定,只读。
对于本开发板,使用两片容量为32Mbyte、位宽为16的SDRAM组成容量为64Mbyte、位宽为32的存储器,所以其BWSCON相应位为:0010。对于本开发板,BWSCON可设为0x22111110:其实我们只需要将BANK6对应的4位设为0010即可,其它的是什么值没什么影响,这个值是参考手册上给出的。
2.BANKCON0-BANKCON5:我们没用到,使用默认值0x00000700即可
3.BANKCON6-BANKCON7:设为0x00018005
在8个BANK中,只有BANK6和BANK7可以使用SRAM或SDRAM,所以BANKCON6-7与BANKCON0-5有点不同:
a.MT([16:15]):用于设置本BANK外接的是SRAM还是SDRAM:SRAM-0b00,SDRAM-0b11
b.当MT=0b11时,还需要设置两个参数:
Trcd([3:2 R A S to CAS delay,设为推荐值0b01
SCAN([1:0]):SDRAM的列地址位数, 对于本开发板使用的SDRAM HY57V561620CT-H,列地址位数为9,所以SCAN=0b01。如果使用其他型号的SDRAM,您需要查看它的数据手册来决定SCAN的取值:00-8位,01-9位,10-10位
4.REFRESH(SDRAM refresh control register):设为0x008e0000+ R_CNT其中R_CNT用于控制SDRAM的刷新周期,占用REFRESH寄存器的[10:0]位,它的取值可如下计算(SDRAM时钟频率就是HCLK):
R_CNT = 2^11 + 1 – SDRAM时钟频率(MHz) *SDRAM刷新周期(uS)
在未使用PLL时,SDRAM 时钟频率等于晶振频率12MHz;SDRAM的刷新周期在SDRAM的数据手册上有标明,在本开发板使用的SDRAM HY57V561620CT-H的数据手册上,可看见这么一行“8192 refresh cycles /64ms”:所以,刷新周期=64ms/8192 = 7.8125 uS。
对于本实验,R_CNT = 2^11 + 1 – 12 * 7.8125 =1955,
REFRESH=0x008e0000 + 1955 = 0x008e07a3
5.BANKSIZE:0x000000b2
位[7]=1:Enable burst operation
位[5]=1:SDRAM power down mode enable
位[4]=1:SCLK is active only during the access(recommended)
位[2:1]=010:BANK6、BANK7对应的地址空间与BANK0-5不同。BANK0-5的地址空间都是固定的128M,地址范围是(x*128M)到(x+1)*128M-1,x表示0到5。但是BANK7的起始地址是可变的,您可以从S3C2410数据手册第5章“Table5-1.Bank6/7 Addresses”中了解到BANK6、7的地址范围与地址空间的关系。本开发板仅使用BANK6的64M空间,我们可以令位[2:1]=010(128M/128M)或001(64M/64M):这没关系,多出来的空间程序会检测出来,不会发生使用不存在的内存的情况——后面介绍到的bootloader和linux内核都会作内存检测。
位[6]、位[3]没有使用
6.MRSRB6、MRSRB7:0x00000030
能让我们修改的只有位[6:4](CL),SDRAM HY57V561620CT-H不支持CL=1的情况,所以位[6:4]取值为010(CL=2)或011(CL=3)。
只要我们设置好了上述13个寄存器,往后SDRAM的使用就很简单了。本实验先使用汇编语言设置好SDRAM,然后把程序本身从Steppingstone(还记得吗?本节开始的时候提到过,复位之后NAND
Flash开头的4k代码会被自动地复制到这里)复制到SDRAM处,然后跳到SDRAM中执行。
本实验源代码在SDRAM目录中,
head.s开头的代码如下:
1 bl disable_watch_dog
2 bl memsetup
3 bl copy_steppingstone_to_sdram
4 ldr pc, =set_sp @跳到SDRAM中继续执行
5 set_sp:
6 ldr sp, =0x34000000 @设置堆栈
7 bl main @跳转到C程序main函数
8 halt_loop:
9 b halt_loop
为了让程序结构简单一点,我都使用函数调用的方式。第一条指令是禁止WATCH DOG,往WTCON寄存器(地址0x53000000)写入0即可禁止WATCH DOG。第二条指令设置本节开头所描述的13个寄存器,以便使用SDRAM。往下程序做的事情就是:将Steppingstone中的代码复制到SDRAM中(起始地址为 0x30000000),然后向pc寄存器直接赋值跳到SDRAM中执行下一条指令“ldr sp, =0x34000000”。
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