单片机上电清空RAM区

上电后清空RAM是必须要做的，由于上电后RAM中的数据处于不确定的状态，会给单片机的运算或者条件判断带来影响，所以是必须必须清空的。清空做的操作也不难，做成子程序后，在程序的开始调用一下就完事了，挺方便。下面分别是 EM78P156 , EM78P259/260 ,EM78P468 等有不同RAM数的单片机的清RAM操作。

编程的基本思想，根据白皮书（ELAN的官方说明书，咱们习惯的叫法）R0是间接寻址，R4是RAM选择，根据这两个的组合就可以完成操作。具体操作和说明可以参考白皮书。

hint： 根据我的理解，这里其实可以很简单的，只需要知道，R4放的是寄存器的地址，R0是放对应的那个寄存器的数据，就OK了，例如

MOV A,@0X10

MOV R4,A

MOV A,@0X11

MOV R0,A

根据hint里面说的，R4放地址，看前两句，将 0x10移入R4，对了，表示地址，表示 0x10号寄存器，而后面将0x11移入R0，这个就是数据，放在什么地方？就是放在当前R4指向的寄存器里面，也就是说 0x10地址放的数据是 0x 11，可能开始看有点抽象，不过相信我，那是很简单的东西。

下面的程序都是按照这种思想来做的 EM78P156 的RAM从 0x10 ～ 0x3f ，如果153的话只有 0x2f，修改一下就行了，而259/260 468 的RAM比较多，ELAN 是以bank来处理的，也就是分页处理，所以在清空的时候切换一下bank就可以了，关于bank的操作，看白皮书，说到低就是对R4最高两位的操作而已。

有问题的话欢迎回帖子，或者发我邮件 etual@163.com

当然如果有更好的思想，或者我的程序里面犯错误的话，非常欢迎大家指出，大家共同讨论，共同学习和进步，在下不吝赐教。

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; 适用于 em78p156 & 153

; 如果Em78P153S 将 0x3f 改成 0x2f就可以了

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clear_all_ram:

mov a,@0x10 ; 开始地址

mov r4,a

clr_ram:

clr r0 ; 清空内容

inc r4 ; 地址加1

mov a,@0x3f ; 是否达到最大的地址 ，bank最大为0x3f

and a,r4

jbs psw,z

jmp clr_ram ; 是的话推出，不是的话继续循环

ret

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; 适用于 em78p259/260 等只有2个bank的mcu

; 先做一下宏定义,不同的mcu宏定义可能不同，注意修改一下

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;-------------------------macro definition--------------------------

bank0 macro

bc 0x04,6 ; R4 的第六位决定是bank0 还是bank1

endm

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bank1 macro

bs 0x04,6

endm

;----------------------clear rams of all banks----------------------

clear_all_ram:

mov a,@0x10

mov r4,a

bank0

call clr_ram

bank1

call clr_ram

ret

clr_ram:

clr r0

inc r4

mov a,@0x3f

and a,r4

jbs psw,z

jmp clr_ram

mov a,@0x10

mov r4,a

ret

;-------------------------------------------------------------------

; 适用于 em78p468 4个bank , 而且本身有bank指令不用宏定义

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;----------------------clear rams of all banks----------------------

clear_all_ram:

mov a,@0x10

mov r4,a

bank 0

call clr_ram

bank 1

call clr_ram

bank 2

call clr_ram

bank 3

call clr_ram

jmp clr_ram_end

clr_ram:

clr r0

inc r4

mov a,@0x3f

and a,r4

jbs psw,z

jmp clr_ram

mov a,@0x10

mov r4,a

clr_ram_end:

ret