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arm汇编:ldr,str,ldm,stm,伪指令ldr

时间:11-20 来源:互联网 点击:
ldr,str,ldm,stm的命名规律:

这几个指令命名看起来不易记住,现在找找规律。

指令样本效果归纳名称解释
ldr Rd,addressingldr r1,[r0]addressing to Rd [mem to reg]load to register
str Rd,addressingstr r1,[r0]Rd ro addressing [reg to mem]store register
ldm Rn,reglistldmfd sp!,{r0-r7,pc}*sp to reglist[mem to reg]load to reglist
stm Rn,regliststmfd sp!,{r0-r7,lr}reglist to *sp[reg to mem]store reglist

因此ldr,str,ldm,stm的命名均是以reg寄存器为主体,ld表示load装载寄存器,st表示store保存寄存器。

装载的源头、保存的去处就是内存了。

ldr同时还是伪指令,这时必然形为: ldr reg, =expr 。expr可以是一个32位立即数,也可以是一个标号。

ldr意为大范围地址读取指令,并且读的是基于pc的相对偏移的地址值。

adr为小范围地址读取伪指令,将基于PC相对偏移的地址值读取到寄存器中。adr register,exper

可用于进行程序跳转,也可用于在数据池中查找数据。

adr r0,DispTab   ;加载转换表地址到r0。; DispTab编译后是一个固定的地址,这个地址后的空间存放了N个单位的数据。程序运行起来后的地址和编译地址或有不同。这个指令加载的是运行时的地址。ldrb r1,[r0,r2]  ;以r2的值为偏移量,读取转化表中的数据到r1中。....DispTab     DCB 0xc0,0xf9,0xa4,0xb0

adlr为中范围地址读取伪指令,比adr可读取的地址范围更大。

;=================; Memory control;=================BWSCON      EQU  0x48     ;Bus width & wait statusBANKCON0    EQU  0x48004     ;Boot ROM controlBANKCON1    EQU  0x48008     ;BANK1 controlBANKCON2    EQU  0x4800c     ;BANK2 controlBANKCON3    EQU  0x48010     ;BANK3 controlBANKCON4    EQU  0x48014     ;BANK4 controlBANKCON5    EQU  0x48018     ;BANK5 controlBANKCON6    EQU  0x4801c     ;BANK6 controlBANKCON7    EQU  0x48020     ;BANK7 controlREFRESH     EQU  0x48024     ;DRAM/SDRAM refreshBANKSIZE    EQU  0x48028     ;Flexible Bank SizeMRSRB6      EQU  0x4802c     ;Mode register set for SDRAM Bank6MRSRB7      EQU  0x48030     ;Mode register set for SDRAM Bank7;要设置的mem控制寄存器,共13个。;*******************************************;;in init.s  .
  .  .SetMemController
  adrl    r0, SMRDATA    ldr    r1,=BWSCON    ;BWSCON Addressadd    r2, r0, #52    ;End address of SMRDATA0ldr    r3, [r0], #4    ;unsigned int *pValue = (unsigned int*)SMRDATA ;  r3 = pValue[0] , pValue+=1;str    r3, [r1], #4    ;unsigned int *reg_addr = (unsigned int*)BWSCON ;  *reg_addr = r3 ; reg_addr+=1;cmp    r2, r0          ;if(pValue != SMRDATA+52) {loop };bne    %B0;end of SetMemController
  .
  .  .LTORGSMRDATA DATA; Memory configuration should be optimized for best performance; The following parameter is not optimized.; Memory access cycle parameter strategy; 1) The memory settings is  safe parameters even at HCLK=75Mhz.; 2) SDRAM refresh period is for HCLK<=75Mhz.DCD (0+(B1_BWSCON<4)+(B2_BWSCON<8)+(B3_BWSCON<12)+(B4_BWSCON<16)+(B5_BWSCON<20)+(B6_BWSCON<24)+(B7_BWSCON<28))DCD ((B0_Tacs<13)+(B0_Tcos<11)+(B0_Tacc<8)+(B0_Tcoh<6)+(B0_Tah<4)+(B0_Tacp<2)+(B0_PMC))   ;GCS0DCD ((B1_Tacs<13)+(B1_Tcos<11)+(B1_Tacc<8)+(B1_Tcoh<6)+(B1_Tah<4)+(B1_Tacp<2)+(B1_PMC))   ;GCS1DCD ((B2_Tacs<13)+(B2_Tcos<11)+(B2_Tacc<8)+(B2_Tcoh<6)+(B2_Tah<4)+(B2_Tacp<2)+(B2_PMC))   ;GCS2DCD ((B3_Tacs<13)+(B3_Tcos<11)+(B3_Tacc<8)+(B3_Tcoh<6)+(B3_Tah<4)+(B3_Tacp<2)+(B3_PMC))   ;GCS3DCD ((B4_Tacs<13)+(B4_Tcos<11)+(B4_Tacc<8)+(B4_Tcoh<6)+(B4_Tah<4)+(B4_Tacp<2)+(B4_PMC))   ;GCS4DCD ((B5_Tacs<13)+(B5_Tcos<11)+(B5_Tacc<8)+(B5_Tcoh<6)+(B5_Tah<4)+(B5_Tacp<2)+(B5_PMC))   ;GCS5DCD ((B6_MT<15)+(B6_Trcd<2)+(B6_SCAN))    ;GCS6DCD ((B7_MT<15)+(B7_Trcd<2)+(B7_SCAN))    ;GCS7DCD ((REFEN<23)+(TREFMD<22)+(Trp<20)+(Tsrc<18)+(Tchr<16)+REFCNT)DCD 0x32        ;SCLK power saving mode, BANKSIZE 128M/128MDCD 0x20        ;MRSR6 CL=2clkDCD 0x20        ;MRSR7 CL=2clk
;mem设置参数值的数据池。共13*4bytes。;*********************************************************  .  .  .

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